鲁 艺

(中国工程物理研究院 核物理与化学研究所,绵阳 621900)

在辐射模拟源低中子注量试验方法研究中，为了获得不同中子注量及注量率下电子学材料及元器件性能的变化规律，发展辐射致材料或器件性能变化的在线监测技术以及有效的表征手段非常重要。国内外大量研究表明，双极晶体管在低注量率辐照下会出现明显的低γ注量率辐射损伤增强效应(ELDRS)，且注量率越低，损伤越严重[1-6]。但是，在低注量率辐射环境，甚至极低注量率辐射环境下，晶体管器件是否同样存在低中子注量率辐射增强效应，目前还未见相关报道，其内在损伤机理也尚不明确。为了准确评估低中子注量辐射环境对晶体管器件性能的影响，获得器件在不同中子注量下的辐射损伤效应以及损伤阈值，需要研制适用于不同中子注量水平的晶体管器件效应在线测试系统[7]。

本文以晶体管直流增益作为中子辐射损伤效应的宏观表征参数，采用电压补偿方法解决了远程监测中因晶体管工作电压损耗引起的测量误差，并通过模块化软件架构以及电压回读技术，建立了晶体管直流增益在线测试系统，实现了不同中子注量辐照下晶体管直流增益的实时监测，获得了辐照期间晶体管直流增益随不同中子注量的变化规律，为晶体管的中子辐射损伤效应评估提供了重要的测试依据。

1 中子辐照下晶体管直流增益在线监测原理

晶体管直流增益的测试电路，如图1所示。……