系统电磁脉冲模拟中的发射电子参数计算
2019-01-08陈剑楠陶应龙陈再高
陈剑楠,陶应龙,陈再高,王 玥
(1.西北核技术研究所,西安710024;2.西安交通大学电子与信息工程学院,西安710049)
系统电磁脉冲(system-generated electromagnetic pulse, SGEMP)是X射线或γ射线作用于腔体并在腔体内外引发的电磁脉冲,是核电磁脉冲的重点研究内容之一[1]。由于高空环境下空气稀薄,X射线与γ射线的作用范围和破坏影响相当大,所以需要解决卫星、弹道导弹等空间飞行器在强射线辐射环境中的生存问题。在SGEMP模拟中,电子发射状态的确定对SGEMP计算结果起决定性作用。模拟中,为了简化计算,电子状态参数通常取近似值[2-4]。本文利用蒙特卡罗(Monte Carlo, MC)程序MCNP模拟了X射线辐照圆柱腔体的光电子发射过程,计算了SGEMP模拟中需要的发射电子能谱、角分布、光电产额及不同黑体温度X射线的能谱参数。在计算电子能谱中表征射线能量的能谱参数E1时,发现了用射线黑体温度T代替E1的近似取值方法,并利用全电磁粒子模拟(particle in cell, PIC)程序对MC模拟和近似取值两种能谱取值方式下的SGEMP计算结果,进行了对比分析。
1 计算模型
计算模型如图1所示。一束平行X射线沿轴向均匀照射在圆柱腔体的端面。圆柱腔体外径D为21 cm,柱长L为21 cm,材料为铝。X射线能谱是温度为T的黑体辐射谱。X射线时间谱为
N(t)=N0sin2[πt/(2τ)]
(1)
其中,τ为半高宽;N0为积分常量。电子发射面取为受照的端面。因为发射面为平面,所以可认为整个端面是均匀发射,各点发射状态相同。

图1计算模型Fig.1Computational model
X射线入射腔体,与腔体介质发生相互作用,主要是光电效应,在端面的内、外壁面分别向腔外和腔内发射光电子,从而在系统周围和内部激励电磁脉冲,产生的电磁场为TM模。……
