谢景涛，车仁超

(复旦大学 先进材料实验室，上海 200433)

在各种半导体纳米材料中，GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线由于其独特的核壳结构，极大增高了激子寿命，提高了光响应速度，在高性能GaAs基光电子器件领域有着极大应用潜力[1-2]．此类核壳结构的制备通常是在芯核材料上进行包覆，形成二维径向生长的一维材料[3]．分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)法对生长参数的调控性强，生长速度较慢，具备超真空环境(≤10-9torr)，有利于生长出高质量的半导体纳米线，近年来在核壳纳米线制备方面获得了越来越多的应用[4-5]．随着合成技术的发展，对于核壳结构纳米线的形态控制和成分控制越发精确，然而要真正走向应用，核壳结构纳米线整体质量及性能调控仍是最为重要和急需解决的首要问题．

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线中，由于晶格失配和原子序列的取向性不同，两种不同带隙和电子亲和能的晶相发生转换从而形成一系列微观区域内的量子结构[6-7]．由于能够提供清晰的异质结原子界面，这种结构性的量子结构在对势阱的形状控制上有着更为突出的优点，成为近年来纳米线性能调控的重要研究对象[8-9]．不同材料之间的匹配度、原子序列的取向性和有序程度、异质结界面处的应变等，都对构成的器件性能有着不可忽视的作用[10-13]．目前，国内外多个课题组就量子点对材料性能的影响进行了较为深入的探究．伦敦大学的Sourribes等人[14]通过高分辨显微技术给出了关于结构型量子点清晰的原子序列排布图，并发现纳米线内部的量子点密度与组分元素含量有着密切关系，而量子点密度进一步影响到了电子迁移率，从而改变材料的整体电性能；……