陈昌鑫，王宇，马铁华



存储测试仪磁场屏蔽效能仿真分析

陈昌鑫，王宇，马铁华

（中北大学电子测试技术国家重点实验室，山西 太原 030051； 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室，山西 太原 030051）

针对存储测试仪的磁场屏蔽效能优化问题，采用控制变量法和变量扫描法，利用Ansoft Maxwell有限元分析软件对测试仪屏蔽体的形状、材料和壳体壁厚这3个参数进行建模仿真，然后对不同参数的仿真结果进行对比，分析屏蔽体不同参数对屏蔽效能的影响。仿真结果表明，金属屏蔽体屏蔽效能受屏蔽体的形状、材料和壳体壁厚影响且影响不可忽略，通过选用磁导率大的圆柱体金属屏蔽体、增加屏蔽体壁厚，可增大屏蔽体屏蔽效能，同时通过理论计算验证了仿真结果。

存储测试仪；磁场屏蔽；屏蔽效能；建模仿真

1 概述

我国存储测试技术研究始于20世纪80年代，30余年来，存储测试技术为高压、高冲击、强电磁干扰等复杂恶劣环境下动态参数的信息准确、可靠获取提供了强有力的技术手段[1]。存储测试技术与遥测技术、引线测试技术并列为常用测试技术，特别是微体积、微小功耗的存储测试仪在信息传输困难、传感器供电困难的狭小空间、高速运动、干扰强烈等测试场合应用，优势明显[2]。存储测试仪在复杂电磁环境中也经常被应用，电磁辐射引起的电磁干扰问题越来越严重，以磁场（尤其是低频磁场）为表现形式的电磁辐射会对存储测试仪内部的半导体电子元器件以及测试信号产生很大的影响[3-4]。……