基于副边半控整流的超级电容无线充电系统研究
2018-08-23李巍
电气传动自动化 2018年5期
李 巍
(中国铝业股份有限公司连城分公司,甘肃连城730335)
1 引言
无线充电系统具备自动化充电,强环境适应性和便捷性,能够广泛的应用于电动车,便携式设备和AGV 等以电池或超级电容为动力源的设备中[1]-[3]。以超级电容为例,为实现快速且高效的电能补充,往往需要恒流充电[4]-[5]。因此,有必要研究具备恒流充电能力的无线充电系统。本文设计一套基于副边半控整流桥的恒流充电系统,通过PI算法调节半控整流桥的移相角度,控制充电电流。
2 电路结构与理论分析
2.1 电路结构分析
如图1所示,本文提出的无线充电系统主要包括直流源,全桥逆变器(由四个MOSFET管S1~S4构成),磁耦合机构(由发射线圈L1,内阻为R1和接收线圈L2,内阻为R2构成),串串补偿结构(由原边补偿电容C1和副边补偿电容C2),半控整流桥(由两个MOSFET管Q1和Q2以及两个二极管D1和D2构成),容性滤波(由薄膜电容Co构成)和超级电容(等效电路模型为串联电阻Rs,理想电容C和等效并联电阻Rs)。
霍尔电流传感器1实时采集副边谐振线圈中电流i2(t),用于同步副边控制的PWM驱动信号。霍尔电流传感器2实时采集直流输出电流Io,通过PI算法控制半控整流桥,实现超级电容的恒流充电。

图1 电路结构框图
2.2 半控整流桥分析
如图2所示,相较于无线充电系统副边控制中常用的Buck变换器而言,半控整流桥节省一个功率电容和薄膜电容,从而能够有效地减小副边成本、重量与体积。

图2 副边用恒流充电控制电路
为简化分析,假定半控整流中的二极管和MOSFET损耗均可忽略不计;……
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