闫剑利

3月23日从山西省科技厅传来消息，山西省4H-SiC单晶制备技术取得重大突破并實现产业化，至此突破了国外对我国SiC单晶衬底技术多年的限制，为我国高性能核心电子元器件产业发展提供了有力保障。

4H-SiC单晶是目前高性能核心电子元器件研制必需的衬底材料。多年来，中国电子科技集团公司第二研究所（山西）通过不断努力创新，解决了4英寸SiC单晶生长设备结构设计、密闭性设计等关键技术，获得自主知识产权的SiC单晶生长设备制造技术，实现了SiC单晶生长设备国产化；通过新型石墨坩埚结构设计、SiC单晶生长SiC籽晶新型固定工艺等技术创新，突破了低微管密度控制技术、低应力控制、晶型控制技术、SiC单晶表面加工等关键技术；将SiC单晶生长工艺与设备结合，获得了SiC单晶生长工艺一致性、高纯粉料自主合成等产业化解决方案。在产业化方面，中国电子科技集团公司第二研究所通过产业化平台建设，新增SiC单晶生产设备40台套，建立了SiC单晶衬底加工生产线和检测线，实现了年产SiC单晶衬底10000片的能力。4H-SiC单晶技术的成功产业化，突破了国外对我国SiC单晶衬底技术的限制，为我国高性能核心电子元器件产业发展提供了有力的保障。

中国电子科技集团公司第二研究所是专业从事电子专用设备研发制造的国家级研究所，致力于国家军事电子和信息产业的发展，有多项产品列入国家重点新产品计划和国家火炬计划。以微组装设备、液晶显示生产设备、真空焊接设备为代表的产品行业地位突出，影响深远，甚至外销日本、美国等国家和地区。