陈清

摘 要：随着电源管理芯片市场越来越快的增长，越来越多的关注集中在如何提高芯片的输出功率和效率。本文提供了一种新颖的制程技术，通过不同的沟槽深度来提供一种和逻辑完全兼容的制程，对于LDMOS的结构，通过较浅的沟槽深度以达到降低LDMOS导通电阻来提升电源管理芯片的效率。同时还可以针对不同的电压域应用的需求，快速而灵活的开发出不同的器件来满足不同的电压应用的需求。

关键词：浅沟槽；横向双扩散场效应管；低导通电阻

中图分类号：TP33 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）04-0031-01

1 引言

随着电源管理芯片市场越来越快的增长，越来越多的关注集中在如何提高芯片的输出功率和效率。因此，要求提供低导通电阻（Ron，sp）的LDMOS以降低的电源管理芯片的功率损耗，并且可以保持较小的芯片面积，以利于节省成本和散热。对于传统的LDMOS[1]，浅沟槽（STI）技术被应用在漂移区域来提高高压器件的耐压能力。但是，由于传统的浅沟槽由于深度较深，导通电流需要流经器件沟道然后经由整个浅沟槽以取得较高的电压。因为较长的电流路径，从而导致高压器件会存在较大的导通电阻。而高的导通电阻会增加芯片的功率损耗，因此，传统的高压器件是很难在高耐压的同时也具备较小的导通电阻。

本文提供了一种新颖浅沟槽的技术方法，沟槽的深度被优化来缩短电流的路径，从而得到较小的导通电阻。同时这个技术可以非常容易的提供完全的逻辑兼容的1.5/5v以及其他被动和模拟的元件。……