许志强，赵乾坤

(郑州轻工业学院 电气信息工程学院，河南 郑州 450002)

基于Nyquist图研究铁基非晶薄带巨磁阻抗效应的非线性

许志强，赵乾坤

(郑州轻工业学院 电气信息工程学院，河南 郑州 450002)

测量了铁基非晶薄带巨磁阻抗效应的阻抗实部和虚部并且计算出磁导率的实部和虚部，通过磁导率的非线性解释了巨磁阻抗效应的非线性原因,并且利用Nyquist图推出磁导率等效电路模型，指出磁导率等效电路模型中的LC共振频率是解决磁导率非线性的关键. 研究结果表明：在激励电源横向磁化和外加磁场纵向磁化的过程中，非晶薄带磁导率的变化无规则，导致非晶薄带的巨磁阻抗效应呈现非线性变化. 当激励频率在5 MHz、纵向磁场发生改变时，磁损耗角依然保持不变，磁导率与纵向磁场的非线性关系转化为磁导率模值与纵向磁场的关系，通过实验数据可以拟合出纵向磁场与磁导率的函数关系.

巨磁阻抗效应；非线性；Nyquist图；磁导率；磁损耗角；等效电路模型

巨磁阻抗效应(Giant magneto-impedance,GMI)是指当丝状或带状软磁材料通入交流电时，材料阻抗随磁场变化而变化的现象. 名古屋大学K. Mohri等人于1992年用内圆水纺法喷制出直径为125 μm的CoFeSiB软磁非晶丝材料，在CoFeSiB非晶丝中通入交变电流，感抗值会随着外部纵向磁场的变化而变化，当外部磁场增加到0.8 kA/m时，非晶丝材料两端电压值比不施加外部纵向磁场时的电压值明显变小，感应电压变化量高达75%[1-3]. 随后巴西Machado等人对CoFeSiB系列非晶丝做了深入……