国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心 邹小彬

从专利分析看FBAR技术发展

国家知识产权局专利局专利审查协作四川中心 邹小彬

本文基于FBAR（薄膜体声波谐振器）技术的专利文献，介绍了FBAR技术的组成和分支，对该技术领域的重要申请人以及其专利申请情况做了介绍，并对该技术领域的调频技术发展进行了着重分析。

FBAR；专利；调频

1 前言

FBAR器件是采用硅材料作衬底，结合微电子机械系统（MEMS）技术和薄膜技术而制成，其插入损耗低、Q值高且尺寸小，广泛用于制作射频滤波器、双工器。通过对FBAR专利技术分布和发展的研究，有助于相关领域人员了解该技术领域的发展现状和明确研究方向。

2 专利技术分析

2.1 技术概述

FBAR谐振器是由在衬底上依次形成的声反射层、下电极、压电层以及上电极形成的堆叠结构。下电极、压电层以及上电极形成的压电堆构成FBAR谐振器的声波传输通道，其厚度决定了FBAR谐振器的频率（厚度越小，谐振频率越高）；声反射层用以产生全反射来构成声波限制边界，常见的声反射层例如背面刻蚀型、空气隙型以及固态装配型，该结构决定了FBAR谐振器的性能（Q值、带外抑制等）[1]。

2.2 技术分支和申请分布

通过检索和分析现有FBAR专利技术（DWPI数据库），结合FBAR谐振器的结构、器件构成和制作工艺将FBAR技术进行划分，如图1所示。

图1 FBAR技术分支

图2 全球FBAR谐振器领域重点申请人及申请量

截至目前，全球FBAR谐振器技术的专利申请总量达2313件（DWPI数据），其中美国的安华高（Avago）科技公司拥有的专利数为228件，远超其他同行。……