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自举开关电路专利技术综述

2017-10-12毕爽君李华芳

河南科技 2017年16期
关键词:信号

毕爽君 李华芳 孙 旭

自举开关电路专利技术综述

毕爽君 李华芳 孙 旭

(国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心,河南郑州 450000)

本文从专利文献的角度对自举开关电路的发展进行分析,介绍了自举开关电路技术发展路线以及国内外重要技术的发展路线。

自举开关;专利;技术发展

Abstract:This paper analyzes the development of bootstrap switch circuit technology from the perspective of patent,then introduces the technical development route of bootstrap switch circuit,and the development direction of domes⁃tic important technology.

Key word:bootstrap switch;patent;technology development

1 自举开关电路简介

在采样保持电路中,采样开关的性能决定了信号的采样精度和采样速度。采样开关一般由MOS开关管实现,MOS开关管的导通电阻由式(1)决定。从式(1)可看出,导通电阻Ron与栅源电压有关。一般MOS开关管的源端接输入信号,当输入信号变化时,其栅源电压发生变化,从而使其导通电阻不为一恒定值,降低了MOS开关管的线性度,最终导致输出信号产生谐波失真。为了消除上述因素导致的MOS开关管的非线性,通常采用栅压自举开关电路结构[1]。使MOS管的栅源电压保持为一恒定电压V1,根据式(1)即保证MOS管的导通电阻Ron不随栅源电压的变化而改变,降低对电路的动态性能的影响。

2 自举开关电路技术申请专利分析

2.1 自举开关电路技术发展路线

为了保证采样保持电路的精确度,自举开关电路技术从20世纪90年代之后开始发展起来,并在近几年得到快

图1 导通电阻恒定的自举开关电路

图2 消除衬偏效应的自举开关电路

2.2.2 消除衬偏效应的自举开关电路

由式(2)可看出,MOS管阈值电压Vth还与源-衬电压有关,当输入信号变化时,源-衬电压发生变化,从而导致阈值电压Vth随输入信号改变,即存在由衬偏效应引入的非线性。……

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