何一蕾，王多书，郭 磊

（兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室，兰州 730000）

打拿极材料二次电子发射系数计算模型研究现状

何一蕾，王多书，郭 磊

（兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室，兰州 730000）

电子倍增器使用寿命短的问题严重制约了其在导航定位系统中的应用，究其根本原因在于现有电子倍增器增益低，且打拿极材料在轰击能量较高的离子或较强电子束流长期作用下耐轰击能力弱，增益衰减过快。通过对国内外研究人员提出的打拿极二次电子发射系数计算模型进行详细分析，总结了这些模型的优缺点，提出建立打拿极材料二次电子发射系数计算模型的启示和建议。

电子倍增器；打拿极材料；二次电子发射系数；计算模型

0 引言

二次电子发射是指具有一定能量或速度的电子（或离子）轰击物体表面引起物体表面发射电子的物理过程[1]。二次电子发射过程中，二次电子数目与原电子数目的比值称为二次电子发射系数，是影响电子倍增器增益的主要因素，其大小与材料性能和入射条件等因素有关[2]，二次电子发射系数大，则电子倍增器的增益就高。

近年来，电子倍增器已广泛用于导航定位、深空探测及微光夜视成像等技术领域[3-4]。铯原子钟是导航定位系统及深空探测器中的关键设备，其准确度是衡量空间定位精度的关键指标，像增强器是微光夜视仪的重要器件，其性能直接影响着微光夜视效果。……