南通明芯微电子有限公司 张兴杰

T V S器件中工艺参数对电性能的影响

南通明芯微电子有限公司 张兴杰

瞬态电压抑制器（TVS）为一种硅PN结高效能的保护器件，可解决电路板面紧张问题，并在反向瞬态高能的冲击下，能够对浪涌功率最快响应速度吸收，可对线路内精密元器件形成良好保护。本文研究显示扩散温度、扩散时间、电阻率及钝化保护等工艺参数会影响TVS二极管电性能。扩散温度及扩散时间增加会增加扩散结深；而电阻率升高，TVS击穿电压增大，钝化保护可可减小TVS器件内反向漏电流。

TVS器件；工艺参数；电性能；影响

随电子科技及信息技术不断发展，半导体器件在功能不断强化的同时，体积日趋减小，便捷式消费电子产品大量出现，在人们日常生活中发挥了重要作用。这些便携式电子产品对主板面积还有器件响应性能有较高要求，响应器不仅要满足高速下的数据传输，同时还要拥有足够的抗电压、电流瞬态干扰能力。瞬态电压抑制器（TVS）为一种硅PN结高效能的保护器件，器件不仅解决了电路板面的紧张状况，在反向瞬态高能的冲击下，能够对浪涌功率最快响应速度吸收，可对线路内精密元器件形成良好保护。

1.TVS器件结构

TVS是由美国学者Richard Von Barandy所发明的，是由硅在扩散工艺下所形成的一个PN结半导体二极管器件。双向 TVS是由两只单向TVS 通过反向串接而成的，使用过程中对电压正端、负端无需考虑。使用过程中，当TVS两端遭受到瞬态反向高……