靳 果，袁 铸，胡居涛

(1.河南工业职业技术学院机电自动化学院，河南南阳473000；2.江苏武进汉能薄膜太阳能有限公司，江苏常州213100)

P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究

靳 果1，袁 铸1，胡居涛2

(1.河南工业职业技术学院机电自动化学院，河南南阳473000；2.江苏武进汉能薄膜太阳能有限公司，江苏常州213100)

以B(CH3)3为掺杂剂，采用正交实验法，以硅烷浓度、B(CH3)3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量，对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜，通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等，研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响，并在此基础上做进一步的参数优化，得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中，得到6%的初始效率。

P型微晶硅薄膜;B(CH3)3;柔性衬底;非晶硅太阳电池

P型微晶硅(μc-Si:H)用作P-I-N结构薄膜太阳电池的窗口层，具有掺杂效率高、电导率高，光吸收系数低和激活能低等优点[1-3]，可以在一定程度上提高太阳电池效率。B2H6作为传统的掺杂剂制备P型微晶硅材料已经暴露出一系列的问题[4]，包括：(1)B2H6气体的化学稳定性差，容易对薄膜表面和反应腔造成污染[5-6]；(2)B2H6气体分解后阻塞流量计；(3)B2H6含有B-B和B-H键，可导致材料缺陷态密度较高[7-8]；(4)B2H6气体极易分解，难以控制[9]。

B(CH3)3(TMB)热稳定性好，分子结构中含有CHn基团，不含B-B键和B-H键，能有效减弱对薄膜的污染和缺陷态密度。实验发现，采用TMB作为掺杂剂，替代B2H6，制备出的P型微晶硅材料和太阳电池，其性能有所改善。……