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同轴高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟与电荷收集时间的计算

2017-08-22何高魁郝晓勇

核化学与放射化学 2017年4期
关键词:效率

梁 爽,何高魁,郝晓勇

中国原子能科学研究院 核技术应用研究所,北京 102413

同轴高纯锗探测器探测效率的MCNP模拟与电荷收集时间的计算

梁 爽,何高魁,郝晓勇

中国原子能科学研究院 核技术应用研究所,北京 102413

高纯锗探测器具有很好的能量分辨率,被认为是核素分析的黄金标准,在很多检测领域成为规定的标准检测设备。在高纯锗探测器的制备过程中,可以采用蒙特卡罗方法对探测器进行模拟,用于确定探测器制备过程中的参数。采用MCNP4软件对同轴高纯锗探测器探测效率进行模拟,研究了不同材质入射窗、不同能量γ射线对高纯锗探测器探测效率的影响,并根据模拟结果选择合适的入射窗材料并确定死层厚度,进而为高纯锗探测器研制提供指导。还对高纯锗探测器晶体的内部电场进行模拟,计算得到能量沉积点的电荷收集时间,通过改变能量沉积点位置,更直观地反映晶体内部不同位置的电荷收集时间。

同轴高纯锗探测器;铍窗;Monte Carlo方法;死层厚度;电荷收集时间

高纯锗探测器系统由于其极高的能量分辨率被广泛应用于核物理、放射化学、同位素分析、中子活化分析、低水平环境样品分析、地质勘探和矿样分析。蒙特卡罗模拟在粒子输运研究中有着广泛的运用。利用蒙特卡罗模拟软件MCNP,模拟计算不同死层厚度、入射窗材料以及γ射线入射能量等参数条件下的高纯锗探测器的探测效率,为高纯锗探测器入射窗选择和制备工艺过程提供指导。……

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