曹德峰，张 颖，崔 帅，李志勇，胥佳灵，卢 健

（1.上海微小卫星工程中心，上海 201203；2.中国科学院微小卫星重点实验室，上海 201203；3.上海精密计量测试研究所，上海 201109）

重金属掺杂硅平面外延开关三极管失效分析技术研究

曹德峰1,2，张 颖3，崔 帅1,2，李志勇1,2，胥佳灵1,2，卢 健1,2

（1.上海微小卫星工程中心，上海 201203；2.中国科学院微小卫星重点实验室，上海 201203；3.上海精密计量测试研究所，上海 201109）

对航天某型号选用3DK104D型NPN硅外延平面小功率开关三极管补充筛选试验中参数超差问题进行了分析，采用非破坏和破坏性分析相结合的技术，对硅基开关晶体管的失效机理进行了研究，最终得出参数超差属批次性质量问题，予以剔除。

开关三极管；掺杂工艺；航天型号工程；失效分析

引言

目前，第三代半导体材料已开发并应用。各类半导体材料均有其自身特点。第一代半导体材料主要是硅、锗元素的半导体材料。第二代半导体材料主要是化合物半导体材料，如二元化合物砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP)；三元化合物GaAs Al、GaAs P；固溶体半导体如Ge-Si、GaAs-GaP；还有玻璃半导体、有机半导体等。InP、GaAs等材料适合于适合制备高速、高频、大功率以及发光电子器件。第三代半导体材料主要是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表的禁带半导体材料， SiC技术较为成熟、GaN技术次之。与第一、第二代半导体材料相比，第三代半导体具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率以及更高的抗辐射性能，更加适合于制备高温、高频、抗辐射以及大功率器件，通常被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2 eV），也被称为高温半导体材料[1]。……