姜传星，张冬至，孙延娥，曹洪尧，王光辉



基于类石墨烯二硫化钼的气敏传感器研究与进展

姜传星，张冬至，孙延娥，曹洪尧，王光辉

（中国石油大学（华东） 信息与控制工程学院，山东 青岛 266580）

二硫化钼(MoS2)作为新兴的类石墨烯二维纳米材料，因其拥有与石墨烯类似的层状结构、天然的带隙、大比表面积等优异的物理化学特性，为制作新型高灵敏度气敏传感器提供了全新的材料。国内外研究学者相继开展基于MoS2的气敏性能研究工作，诸如采用金属氧化物或贵金属等掺杂修饰MoS2作为敏感材料制造高性能气敏传感器，并获得显著成果。本文综述了MoS2气敏传感器的最新研究进展及应用，并展望了其发展趋势。

二硫化钼；类石墨烯；综述；掺杂；气敏传感器；层状结构

自从2004年，英国曼彻斯特大学A.K. Geim教授研究团队利用机械胶带剥离法从石墨中得到单层的石墨烯，证实了石墨烯的真实存在，掀起了人们对新型二维(2D)单层纳米材料的研究热潮。纳米尺度二硫化钼（MoS2）作为新型二维纳米材料的一种，因其具有与石墨烯类似的层状结构与独特的性质，且拥有良好的电学、化学、机械与光学性能，而得到广泛关注与研究[1]。与零带隙的石墨烯不同，单层及多层MoS2材料都具有禁带，是天然的半导体。MoS2晶体结构由S-Mo-S三层堆垛而成[2]，层内S原子与Mo原子以共价键结合，Mo-S棱面相当多，层边缘有悬空键，并以较微弱的范德华力结合[3]，因此MoS2层容易受外界环境的影响而形成稳定的薄层结构。……