李军求，张菊荣，罗 军，王小强

（1.工业和信息化部电子第五研究所，广东 广州 510610；2.河南信息工程学校，河南 郑州 450000）

基于主成分分析的温度对Flash存储器电参数一致性分析

李军求1，张菊荣2，罗 军1，王小强1

（1.工业和信息化部电子第五研究所，广东 广州 510610；2.河南信息工程学校，河南 郑州 450000）

针对温度对闪存（Flash）存储器电参数的一致性影响特性尚不清晰、一致性分析评价方法不明确等问题，提出采用主成分分析法对Flash存储器中的不同电参数进行一致性分析。实验结果表明：温度会对Flash存储器的电参数漂移产生影响，随着温度的升高或降低，Flash存储器电参数的主成分均值与方差具有相反的变化趋势。基于主成分分析法为Flash存储器的电参数一致性评价提供一种手段，温度对其电参数一致性的影响特性对保障产品的质量及改进设计具有指导意义。

闪存存储器；主成分分析；电参数；一致性

0 引 言

Flash存储器由于具有非易失性、固态性、体积小、抗震动、高性能、低功耗、便携、可靠等特点广泛应用于军民用产品，如宇航、卫星、移动通信和消费电子等领域[1]。近年来，随着容量的提高和价格的降低，大量的市场需求促使Flash存储器获得了快速发展[2]。在Flash存储器的批量生产应用中，电参数的一致性对保证用户储存系统的质量可靠性具有重要作用。当前，针对Flash存储器的测试主要包含电参数测试和耐久（擦写次数）测试[3]，并发展了相关标准规范，如GJB 548B——2005《微电子器件试验方法和程序》中提到的耐久……