刘梦玲， 高艺霖， 胡红坡， 刘星童， 吕家将， 郑晨居， 丁星火， 周圣军

(武汉大学 动力与机械学院， 湖北 武汉 430072)

插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响

刘梦玲， 高艺霖， 胡红坡， 刘星童， 吕家将， 郑晨居， 丁星火， 周圣军*

(武汉大学 动力与机械学院， 湖北 武汉 430072)

为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象，提高大功率LED芯片的外量子效率，在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO2薄膜，再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO2电流阻挡层。采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响，研究插指型SiO2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响。结果发现，插指型SiO2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象。与没有沉积插指型SiO2电流阻挡层的大功率LED芯片相比，光输出功率得到显著的提高。在350 mA的输入电流下，沉积插指型SiO2电流阻挡层后的大功率LED芯片的外量子效率提高了18.7%。

大功率LED； 插指型SiO2电流阻挡层； 电流拥挤； 外量子效率

1 引 言

发光二极管(Light-emitting diodes，LEDs)作为第四代光源，从20世纪60年代发展至今，由于具有节能环保、光电转换效率高、寿命长以及响应快等优点，被广泛应用于照明和显示等领域。LED芯片的外量子效率取决于芯片的内量子效率和芯片的出光效率。为了提高LED芯片的外量子效率，芯片结构被不断改善[1-5]。另外，为了获得更高光输出功率的LED芯片，以及提高LED芯片对电流的承受能力，芯片的面积逐渐增大，大功率LED芯片得到快速发展。……