基于28nm工艺下的LVDS发送器设计

2017-06-19罗庆红刘怡俊叶剑科陶永耀阳昕李邵川

现代计算机 2017年13期

关键词：信号设计

罗庆红，刘怡俊，叶剑科，陶永耀，阳昕，李邵川

（1.广东工业大学，广州 510006；2.炬芯(珠海)科技有限公司，珠海 519000；3.熠芯（珠海）微电子研究院有限公司，珠海 519000）

基于28nm工艺下的LVDS发送器设计

罗庆红1，刘怡俊1，叶剑科1，陶永耀2，阳昕2，李邵川3

（1.广东工业大学，广州 510006；2.炬芯(珠海)科技有限公司，珠海 519000；3.熠芯（珠海）微电子研究院有限公司，珠海 519000）

在对LVDS发送器电路的基本原理与结构研究的基础上，设计一种高速低电压差分信号(LVDS)发送器电路。电路采用台湾积体电路制造公司（TSMC）的28nm HKMG工艺设计实现，采用一种新型的数据同步采样设计。仿真结果表明，该发送器电路在电源电压为3.1V的工作条件下，有发送端匹配电阻存在的情况下，发送器在单端输出摆幅400mV的情况下消耗平均功率为39mW。

广东省和广州市科技项目（No.2016B090904001、No.2016B090918126、No.2014B090901061、N2015B090901060、No.2015-B090908001、No.2014Y2-00211）

0 引言

随着半导体技术的发展以及社会信息化的程度越来越高，芯片之间的通信频率要求越来越高，传输的数据量也越来越大。此时传统的传输技术遇到了挑战，芯片通信速度成为了一个瓶颈问题。20世纪90年代，LVDS接口技术的出现，为解决当前这一瓶颈问题提供了可能。LVDS（Low Voltage Differential Signaling）即低压差分信号接口，具有传输速度高、抗噪声能力强、功耗低、成本低等诸多优点。目前，LVDS技术已得到广泛的应用。

本文给出的LVDS发送电路是在 TSMC 28nm HKMG工艺下设计实现。首先介绍了发送器的规格方案，然后对系统设计的关键技术进行了阐述和仿真，随后给出了发送器的仿真结果及分析。