基于GaAs HBT工艺的动态分频器的研究与设计

2017-05-13梁方建闫广涛

电子设计工程 2017年9期

关键词：信号结构设计

梁方建，闫广涛，卢震

（1.国网商丘供电公司河南商丘476000；2.天津大学天津300072）

基于GaAs HBT工艺的动态分频器的研究与设计

梁方建1，闫广涛1，卢震2

（1.国网商丘供电公司河南商丘476000；2.天津大学天津300072）

针对静态分频器工作频率越高功耗越大的问题，本文采用GaAs HBT工艺研究设计了高性能动态分频器。通过对动态分频器结构进行研究，采用有源负载代替传统的电阻负载，提高了分频器工作的频率。同时对动态分频器进行电路设计，并对其进行仿真，得出其分频范围为9～15 GHz，具有良好的输入灵活度，功耗仅为130.26mW，满足设计要求。

分频器；GaAs HBT；锁相环；直流功耗

随着各类无线通信技术蓬勃发展，人们对毫米波频段的研究逐步深入，传统的基于CMOS工艺的集成电路已满足不了当前的需求，基于GaAs工艺的集成电路已经发展成射频和微波领域电路设计的首选[1-4]。在无线系统中，分频器不仅作为频率合成器的反馈环的重要模块，同时也是锁相环电路中重要的模块，工作频率最高，也是功耗最大的的模块之一，其性能直接影响锁相环及无线系统的整体性能[5-7]，因此对高性能的动态分频器进行研究具有重要的现实意义和实用价值。本文阐释了分频器的结构原理，研究并设计了基于GaAs HBT工艺的动态分频器，该动态分频器具有良好的性能，工作频率高，功耗低，满足设计要求，具有一定的使用意义。