程思锐，王春举，单德彬，郭 斌

（1.哈尔滨工业大学大学材料科学与工程学院，哈尔滨150001；2.金属精密热加工国家级重点实验室（哈尔滨工业大学），哈尔滨150001；3.中航工业北京航空制造工程研究所，北京100024）

Zr基块体非晶合金微通道阵列过冷液相区压印工艺

程思锐1，2，3，王春举1，2，单德彬1，2，郭 斌1，2

（1.哈尔滨工业大学大学材料科学与工程学院，哈尔滨150001；2.金属精密热加工国家级重点实验室（哈尔滨工业大学），哈尔滨150001；3.中航工业北京航空制造工程研究所，北京100024）

本文利用Zr41Ti14Cu12.5Ni10Be22.5（Vit1）块体非晶合金对不同宽度的微通道阵列进行充填实验，并研究了形腔宽度、压印载荷与温度对微通道阵列充填高度的影响规律.实验结果表明，随着型腔宽度和压印载荷的增加，微通道充填高度逐渐上升.这就意味着较高的载荷和型腔宽度有利于Vit1块体非晶合金在微通道中了流动.成形温度由673 K上升至703 K时，微通道充填高度由9.1 μm增加至46.6 μm；然而，当实验温度达到713 K时，微通道阵列的充填高度急剧下降至26.9 μm.XRD结果显示，在713 K下成形后的试样中存在大量亚稳态的晶化相，非晶基体中的晶化相会增大材料的流动阻力，从而降低其对微通道阵列的充填能力.因此，Vit1合金微通道阵列成形温度区间应控制在673～703 K.

Zr基块体非晶合金；Si模具；微通道阵列；压印；微成形性能

随着微机电系统（Micro-electromechanical Systems，MEMS）的快速发展，微型装置如光学传感器、微型反应器、微型热交换器等正得到越来越广泛的应用.而表面微结构作为影响这些微型装置性能的关键部……