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开关电源待机功耗分析

2017-04-23王学军

电子技术与软件工程 2017年5期
关键词:尖峰待机功耗

王学军

摘 要 开关电源是利用现代电力电子技术,采用功率半导体器件作为开关,通过控制开关晶体管开通和关断的时间比率(占空比),调整输出电压,维持输出稳定的一种电源。开关电源是电子电源的主要大类产品,由于其小型化、重量轻、功率密度/转换效率高、输入电压范围广、热消耗较少等众多种优点,并得益于电子产品轻、薄、小的需求趋势,其发展迅速,将全面取代线性电源而普及于各种电子产品领域。

【关键词】待机功耗 开关管损耗 高压启动 6级能效

从2011年至2015年每年全球开关电源市场销售额平均保持了6.5%左右的幅度增长, 2016年中国电源产业产值将超过2156亿元,我国开关电源产值将达到1875亿元。

可以预计,下面几个问题是开关电源发展的永恒方向:

(1)开关电源频率要高,这样动态响应才能快,配合高速微处理器工作是必须的;也是减小体积的重要途径。

(2)体积要减小,变压器电感、电容都要减小体积。

(3)效率要高,产生的热能会减少,散热会容易,容易达到高功率密度。

(4)待机功耗低,这样才能节能减排,做到低碳环保。

1 提高整机效率与降低待机功耗理论分析

1.1 开关电源的损耗包含功率管导通损耗、开关损耗以及外围控制电路损耗,电路不同部分的损耗成因各不相同,因此减小损耗的方法也有不同

需要用数学方程式量化这些损耗,进而整理出降低各部分损耗的方法,才能得出具体有效降低整体损耗的方案。

1.2 主要导通损耗

如表1、表2、表3所示。

1.3 主要开关损耗

如表4、表5、表6所示。

1.4 外围控制电路损耗

表7所示。

2 整机待机功耗分析

2.1 D4875手机充电器5V2A整机实际线路

从图1整机线路分析功耗来源,主要可以分为以下几类:开关损耗、电阻损耗、缓冲网络损耗、PWM控制器功耗等。

2.2 开关损耗

2.2.1 测试条件

VAC=264V。下面为辅助绕组对地的波形(如图2、图3、表8所示)

原因分析:MOSFET的导通损耗,开关交叠损耗均与频率成正比关系,即与单位时间内开关次数成正比。

2.3 启动电阻损耗

如表9所示。

(1)测试条件VAC=264 V,RIN=1MΩ→2 MΩ

启动电阻RIN上最大损耗:

备注:低频整流后的电压存在一定波动,故实际测试值与理论计算值有一定偏差。当然目前市场上已有采用高压启动的芯片(此类芯片半导体工艺相对复杂),也就是启动后切断电阻上的电流,可以达到没有损耗。

(2)同时可以通过把RIN的位置从低频整流后转到低频整流前,这样可以进一步降低待机功耗。测试条件VAC=220V,RIN=1MΩ或2MΩ,改变RIN连接位置,如表10所示。

(3)启动电阻值的增加,可以降低整机待机功耗,但同时会导致整机开机时间的延长,故待机功耗的降低是以牺牲整机开机时间为前提的。由于整机开机时间不能超过一定的时间(一般2S),各个厂家又有所不同,故根据实际情况进行选择,选择的标准是在不超过规定的开机时间下尽量增加启动电阻,从而降低待机功耗,如图4、图5所示。

测试条件:VAC=110 V,full load 2 A,RIN=1MΩ→2MΩ

(4)输出分压电阻RO最大损耗(RO包括两个分压电阻总和):

测试条件:VAC=220V,RO=2KΩ→20 KΩ,如表11所示。

2.4 缓冲网络损耗

2.4.1 二次侧整流二极管RC缓冲网络损耗

测试条件:R=18 Ω,C=102→103(如表12、表13所示)。

从表14可看出,电容C=102时主要吸收高频,那样就不会吸收掉正常工作的低频频率,功耗较低,但噪声与尖峰会很大。电容C=103时同时吸收低频高频,吸收效果好,噪声和尖峰会相应的小很多,但功耗会较大。由于吸收过来的能量会损耗在电阻上,因此电阻越大能量损耗也相应会增加。

2.5 RCD缓冲网络

2.5.1 测试条件

如表15所示。

D=FR107,R=100 KΩ,C=101→102→103

2.5.2 测试条件

如表16所示。

D=FR107,C=102,R=50 KΩ→100 KΩ→200 KΩ

原理分析如图6所示。

电容Csn=101时主要吸收高频,那样就不太会吸收掉正常工作的低频频率,功耗较低,但噪声和尖峰会很大。电容Csn=103时同时吸收低频高频,吸收效果好,噪声和尖峰会相应的小很多,但功耗会较大。由计算公式可以看出损耗在RSN上的能量与RSN的阻值成反比,故电阻越大,损耗越小。在实际调试过程中,当能耗降低会导致尖峰值增加,从而引起EMI问题,这时需要在两者之间权衡,同时兼顾效率与EMI。

2.6 D4875 PWM控制器损耗

2.6.1 芯片D4875上最大损耗

P=VDD×IDD

2.6.2 测试条件

VDD=12 V→18 V

从表17可看出,降低VDD的供电电压与供电电流能有效的降低待机功耗。

4 结论

要减小开关电源待机损耗,提高待机效率,根据开关电源损耗的构成分析,最有效的方法就是切断启动电阻,优化缓冲网络,降低芯片工作电压与工作电流,降低开关频率,减小开关次数可减小待机损耗,提高工作效率。

参考文献

[1]王志强,肖文勛.开关电源设计[M].北京:电子工业出版社,2010.

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