谭思昊, 李昱东, 徐烨峰, 闫 江

( 1. 中国科学院 微电子研究所，北京 100029； 2. 微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029 )

超薄埋氧层厚度对FDSOI器件短沟道效应影响

谭思昊1,2, 李昱东1,2, 徐烨峰1,2, 闫 江1,2

( 1. 中国科学院 微电子研究所，北京 100029； 2. 微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029 )

随着CMOS技术发展到22 nm技术节点以下，体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS (FDSOI)技术具有优秀的短沟道效应控制能力，利用TCAD软件，对不同埋氧层厚度的FDSOI器件短沟道效应进行数值仿真，研究减薄BOX厚度及器件背栅偏压对器件性能和短沟道效应的影响。仿真结果表明，减薄BOX厚度使FDSOI器件的性能和短沟道效应大幅提升，薄BOX衬底背栅偏压对FDSOI器件具有明显的阈值电压调制作用，6.00 V的背栅偏压变化产生0.73 V的阈值电压调制。在适当的背栅偏压下，FDSOI器件的短沟道特性(包括DIBL性能等)得到优化。实验结果表明，25 nm厚BOX的FDSOI器件比145 nm厚BOX的FDSOI器件关断电流减小近50%，DIBL减小近20%。

FDSOI； 超薄埋氧层； 仿真研究； 短沟道效应； 背栅偏压

0 引言

随着CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件的特征尺寸缩小到22 nm技术节点，受短沟道效应和波动问题的影响，半导体生产制造业传统的器件结构达到尺寸等比例缩小的极限。如果通过提高沟道掺杂浓度控制短沟道效应，则导致结漏电增加和随机掺杂波动增大；同时，传统的体硅CMOS器件在栅长较短时几乎无法关断。全耗尽绝缘体上硅CMOS(FDSOI，Fully Depleted Silicon-on-Insulator)器件不需要通过沟道掺杂控制短沟道效应，使CMOS器件的特征尺寸可以持续缩小[1]。FDSOI能够较好地控制短沟道效应(SCE，Short-channel-effect)，避免随机掺杂浓度波动(RDF，Random Doping Fluctuation)，与传统体硅CMOS工艺流程兼容良好[2]。此外，在器件背面施加背栅偏压，不仅可以有效控制器件的SCE，也可以调节器件的阈值电压，以实现功耗管理目标[3]。

FDSOI器件成为主流CMOS技术的最大障碍在于，FDSOI器件性能取决于绝缘体上硅(SOI，Silicon-on-Insulator)厚度，同时获得均匀度很高的SOI衬底非常困难。Ito M等[4]使用ELTRAN技术制备50 nm厚埋氧层(BOX，Buried-Oxide)的SOI衬底。Delprat D等[5]大幅提升制备SOI衬底的工艺，获得SOI衬底的表层硅厚度在整个硅片上的波动小于1 nm。控制FDSOI器件短沟道效应的方法包括减薄沟道厚度[6]和施加背栅偏压[7]。Feng Shuai等[8]通过加强栅极对沟道载流子的控制能力，减弱源漏对沟道载流子的控制能力，提高器件的短沟道效应。实际上，减薄FDSOI器件的BOX厚度也可以起到相同的作用。Fenouillet-Beranger C等[9]使用超薄BOX(UTB，Ultra-thin BOX)结构实现多阈值电压器件的设计和制备。Liu Q等[10]研究超薄埋氧层(BOX厚度为25 nm)的FDSOI器件的性能和短沟道效应特性，制备的FDSOI器件具有出色的短沟道效应控制能力和电学特性。Liu Q等[11]研究更薄BOX(厚度为15 nm)的FDSOI器件，结果表明NFET和PFET器件的漏致势垒降低(DIBL，Drain Induced Barrier Lowering)性能得到优化。Doris B等[12]认为，在10 nm及其以下技术节点，减薄BOX厚度使器件的性能得到优化。Tang Z Y等[13]制备较厚的BOX(厚度为145 nm)的FDSOI器件，并研究器件性能和背栅偏压对器件的影响。受限于UTB SOI衬底的制备技术发展水平，我国在UTB FDSOI器件性能方面研究较少，也未见通过减薄BOX厚度优化FDSOI器件短沟道效应文献；在制备FDSOI器件时，由于仿真参数设定和制备工艺流程不明确，国外的研究成果难以参考。

笔者采用TCAD软件进行数值模拟，研究超薄BOX厚度及施加背栅偏压对FDSOI器件短沟道效应的影响，并制备FDSOI器件进行测试，分析减薄BOX厚度对器件性能和短沟道效应控制能力的影响，为UTB FDSOI器件的制备、BOX厚度对FDSOI器件的性能和短沟道效应的影响提供指导。

1 工艺流程仿真

采用TCAD软件，分别使用其中的SPROCESS和SDEVICE模块,对具有不同BOX厚度的FDSOI器件进行工艺结构和电学特性仿真(见图1)。首先，将衬底表层硅减薄至8.0 nm，热氧化后用氢氟酸刻蚀去除氧化层(见图1(a))，在形成假栅(见图1(b))和侧墙(见图1(c))后，用外延方法生长抬升源漏(RSD，Raised-SD)(见图1(d))，用离子注入并将源漏掺杂硼(B)。然后，在源漏掺杂后进行快速退火工艺，实现杂质的激活、推阱,以形成拓展区；完成两层侧墙的淀积和刻蚀(见图1(e))后，去除假栅，形成HK(High-K)和MG(Metal-Gate)结构(分别使用材料HfO2和TiN)，进而形成硅化物(见图1(f))。最后，形成接触孔，结束金属化工艺，完成FDSOI器件的制备。

图1 UTB FDSOI器件工艺流程数值仿真Fig.1 Process flow simulation of UTB FDSOI devices

主要的FDSOI器件仿真参数:表层硅厚度为25.0 nm；第一层侧墙厚度为10.0 nm；第二层侧墙厚度为50.0 nm；RSD高度为35.0 nm；栅氧层厚度为0.5 nm；HK介质HfO2厚度为2.0 nm。BOX厚度分别为145.0、50.0、30.0、25.0、20.0、15.0和10.0 nm。为了说明沟道长度(即栅长)对器件性能的影响，对栅长25 nm的短沟器件和125 nm的长沟器件进行仿真，分析沟道长度对器件性能的影响。

2 仿真结果讨论

2.1 电学特性

2.1.1 电压

FDSOI器件漏端电流Id和栅极电压Vg的关系曲线即为转移特性曲线，表示器件输出电流与栅极施加电压的关系，是衡量器件性能的重要曲线。不同BOX厚度的FDSOI器件Id与Vg关系曲线见图2，其中线性区的源漏间电压VDS=-0.05 V，饱和区的VDS=-0.90 V；线性区漏端电流Idlin与Vg关系曲线用黑色表示；饱和区漏端电流Idsat与Vg关系曲线用红色表示。由图2可见，BOX厚度变化对线性区Idlin-Vg关系曲线几乎没有影响，而对饱和区Idsat-Vg关系曲线影响明显。这是因为工作于线性区的器件沟道区域几乎没有源漏电场耦合，BOX厚度变化对沟道载流子的电场影响比较小；工作于饱和区的器件沟道区域受源漏电场耦合作用影响，BOX厚度变化的影响更明显。根据图2可以获得FDSOI器件的阈值电压Vt，在Id=1×10-7A时，由Idlin-Vg曲线提取不同BOX厚度器件的线性区阈值电压Vtlin；由Idsat-Vg曲线提取不同BOX厚度器件的饱和区阈值电压Vtsat，并计算DIBL(DIBL=Vtsat-Vtlin)。长沟(LG=125 nm)和短沟(LG=25 nm)FDSOI器件的Vt、DIBL与BOX厚度关系曲线见图3。由图3(a)可见，长沟和短沟器件的线性区阈值电压Vtlin变化比较小，其饱和区阈值电压变化更为明显，因此根据其差值绘制的曲线形状与两者的饱和区阈值电压Vtsat曲线形状相似(见图3(b))。

图2 不同BOX厚度FDSOI器件的Id-Vg曲线Fig.2 Id-Vg curves of FDSOI devices with different BOX thickness

图3 长沟和短沟FDSOI器件的Vt、DIBL与BOX厚度变化关系曲线Fig.3 Vt and DIBL curves of short-channel and long-channel FDSOI devices with different BOX thickness

由图3(a)可见，受短沟道效应的影响，当FDSOI器件的沟道长度变小时，阈值电压绝对值约降低50%。这是因为源漏间的电场耦合作用对器件产生影响，而UTB结构能够减小耦合作用，更薄厚度的BOX层使从源漏出发的电场线更多地终止于衬底，加强栅极对沟道载流子的控制能力，进而使阈值电压绝对值降低程度减小。当BOX厚度变化时，长沟器件的阈值电压绝对值基本不变，短沟器件的饱和区阈值电压绝对值约增加0.06 V。因此，BOX厚度对短沟器件饱和区阈值电压的影响远大于线性区的，随着BOX厚度的减小，器件的DIBL得到优化(减小60 mV/V)。

2.1.2 电流

FDSOI器件阈值电压和沟道势垒的变化影响电流性能，对BOX厚度变化对器件电流性能的影响进行仿真。国际半导体技术蓝图(ITRS，International Technology Roadmap for Semiconductors)[14]指出，基准器件的阈值电压为-0.19 V，开态电流Ion在开态电压Von=-0.90 V处取得，关态电流Ioff在关态电压Voff=0.01 V处取得。由于FDSOI器件的阈值电压不同，为了比较电流性能，开态电流Ion在-0.90 V～(-0.19 V-Vtsat) 处提取，关态电流Ioff在0.01 V～(-0.19 V-Vtlin)处提取，计算开关态电流比Ion/Ioff，绘制不同BOX厚度FDSOI器件的开态、关态电流及开关态电流比曲线(见图4)。在仿真过程中，为了减少变量、更好地研究不同BOX厚度对器件性能的影响，没有进行功函数的调制。

由图4(a)可见，在BOX厚度从145 nm减薄到10 nm时，FDSOI器件的Ion减小4.85×10-5A，减小13.0%。这是因为随BOX厚度的降低，栅极电场在沟道中的场强增加，影响沟道载流子的迁移率。

当漏端施加高电压时，在漏端电场影响下，沟道源端附近的势垒降低，即漏致势垒降低(DIBL)，增加从源端注入沟道的载流子数量，并在Vg没有达到阈值电压时允许载流子在源漏之间流通，产生关态电流Ioff，进而影响器件的关断性能。因此，优化DIBL性能可以有效降低器件的关态电流Ioff(见图4(a))。由图4(a)可见，在BOX厚度从145.0 nm减薄到10.0 nm时，FDSOI器件的Ioff减小98.4%，关态电流性能明显提升。

图4 不同BOX厚度FDSOI器件的开、关态电流及开关态电流比曲线Fig.4 Ion, Ioff and Ion/Ioff curves of FDSOI devices with different BOX thickness

由图4(b)可见，在BOX厚度从145.0 nm减薄到10.0 nm时，FDSOI器件的开关态电流比(Ion/Ioff)增加53.3倍，FDSOI器件的电学性能明显提升。其中BOX厚度为20.0 nm时,开关态电流比显示异常，原因是仿真网格划分导致该处计算结果不收敛，重新划分网格后对该点进行仿真计算，产生数据异常。

2.2 背栅偏压

在背栅偏压(Vbg)为-3.00～3.00 V时，25.0 nm BOX厚度、25.0 nm栅长、8.0 nm表层硅厚度的PMOSFET空穴浓度的分布见图5。由图5可见，在背栅偏压为-3.00 V时，沟道高浓度空穴宽度最宽，空穴占据整个沟道，衬底空穴浓度较低，因此电子浓度较高，衬底处于积累状态(见图5(a))。在无背栅偏压(0 V)时，沟道高浓度空穴宽度比负偏压时的窄，衬底空穴浓度略高，因此电子浓度降低，衬底处于耗尽状态(见图5(b))。当背栅偏压为3.00 V时，沟道高浓度空穴宽度最窄，衬底空穴浓度较高，因此电子浓度更低，衬底处于反型状态(见图5(c))。

图5 UTB FDSOI器件在不同背栅偏压下空穴浓度分布Fig.5 Distribution of holes in UTB FDSOI device under different Vbg

沿垂直沟道方向进行加权平均，计算空穴浓度的平均沟道位置[15]。当背栅偏压Vbg为-3.00 V时，平均沟道位置远离前栅。在Vbg为正时，平均沟道位置向前栅移动，并且偏压越大，两者越接近。在衬底偏压由正变负过程中，平均沟道位置由前栅表面向衬底与BOX界面靠近，导致前栅正下方的耗尽宽度向BOX延伸，最终衬底耗尽甚至反向积累。在施加背栅偏压时，由反背栅偏压到正背栅偏压过程中，衬底耗尽区向埋层氧化物延伸，使耗尽区宽度增加，DIBL变大，FDSOI器件的短沟道效应增强[16]。因此，在衬底施加反背栅偏压时，FDSOI器件平均沟道位置逐渐靠近前栅，DIBL减小，可以更好地控制FDSOI器件的沟道效应。

在背栅偏压为-3.00～3.00 V时，UTB FDSOI器件的Idlin-Vg曲线见图6，其中横线表示Id=1×10-7A的位置。由图6可见，在背栅偏压从-3.00 V变化到3.00 V时，25.0 nm BOX厚度的UTB FDSOI器件得到0.73 V阈值电压的调制。对于145.0 nm BOX厚度的FDSOI器件的背栅偏压对阈值电压的调制[13]，在背栅偏压从-20.00 V变化到20.00 V时才能得到0.73 V的阈值电压调制。因此，25.0 nm BOX厚度的UTB FDSOI器件对背栅偏压的灵敏度比145.0 nm BOX厚度的高。

图6 背栅偏压对UTB FDSOI器件Idlin-Vg调制曲线

图7 25.0 nm BOX厚度UTB FDSOI器件结构剖面Fig.7 Cross-section view of UTB FDSOI device(BOX thickness 25.0 nm)

3 实验验证

制备25.0 nm BOX厚度和145.0 nm BOX厚度的FDSOI器件，器件参数与仿真参数相同。25.0 nm BOX厚度的FDSOI器件剖面见图7。两种器件性能测试参数见表1，参数经过归一化处理。

由表1可见，25.0 nm BOX厚度 UTB FDSOI器件和145.0 nm BOX厚度FDSOI器件的线性区阈值电压Vtlin分别为-0.017、0.016 V， 25.0 nm BOX厚度UTB FDSOI器件的线性区阈值电压更接近基准器件的(-0.19 V)，并且器件的DIBL由41.1 mV/V减小到33.3 mV/V，Ioff降低53.26%，Ion降低27.90%，Ion/Ioff提升53.33%，与仿真结果的参数变化趋势相同，表明减小BOX厚度可以提升FDSOI器件性能。另外，开态电流Ion与开关态电流比Ion/Ioff的变化幅度与仿真结果存在一定差距，说明制备的FDSOI器件性能还可以优化。

表1 25.0、145.0 nm厚度BOX FDSOI器件的电学特性

4 结论

(1)仿真结果显示，BOX厚度降低可以优化FDSOI器件的阈值电压和DIBL性能。当BOX厚度从145.0 nm变为25.0 nm时，FDSOI器件的DIBL减小21%。

(2)仿真结果显示，当BOX厚度从145.0 nm减小到25.0 nm时，FDSOI器件的电流性能得到提升，关态电流减小93.1%，器件的关断特性大幅提升；开态电流减小6.4%，器件的开关态电流比提升13.5倍。

(3)仿真结果显示，对于25.0 nm BOX厚度 FDSOI器件，背栅偏压从-3.00 V变化到3.00 V时，阈值电压调制幅度达到0.73 V，比145.0 nm BOX厚度 FDSOI器件对背栅偏压的敏感度高，调节背栅偏压可以优化UTB FDSOI器件的短沟道性能。

(4)制备25.0 nm BOX厚度UTB FDSOI器件与145.0 nm BOX厚度 FDSOI器件。25.0 nm BOX厚度器件比145.0 nm BOX厚度器件的DIBL减小19.0%，关态电流减小53.26%，开态电流减小27.90%，开关态电流比提升53.33%。减薄BOX厚度对FDSOI器件性能有明显提升。

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2016-08-01；编辑：张兆虹

国家科技重大专项(2013ZX02303-001-001)

谭思昊(1990-)，男，硕士研究生，主要从事SOI器件结构与工艺方面的研究。

TN386.1

A

2095-4107(2017)01-0117-06

DOI 10.3969/j.issn.2095-4107.2017.01.012