吴海勤，徐雨，胡青松，潘再法

（1.浙江工业大学化学工程学院，浙江杭州310014）

双色可调荧光粉MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+的发光性能和能量传递机理研究

吴海勤，徐雨，胡青松，潘再法*

（1.浙江工业大学化学工程学院，浙江杭州310014）

采用高温固相法制备了双色可调荧光粉M gY2A l4SiO12:Eu2+,Ce3+，并对其晶体结构和发光特性进行了研究。在340 nm紫外光激发下荧光粉的发射光谱由两个谱带组成，以445 nm为主峰的蓝光发射带归属于Eu2+的4f65d1→4f7能级跃迁，峰值位于565 nm的黄光发射带则对应于Ce3+的5d→4f（2F2/7,2F2/5）跃迁。根据Dexter共振能量传递理论和Reisfeld近似计算得到Eu2+，Ce3+之间存在电偶极-电偶极能量传递过程。当Eu2+和Ce3+的掺杂浓度分别为0.01和0.06时，荧光粉的色坐标位置落在黄绿光区域，并可以通过改变基质中Eu2+和Ce3+的摩尔比来调节荧光粉的色坐标。MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+是一种适用于紫外芯片的新型双色可调谐白光LED用荧光粉。

MgY2Al4SiO12:Eu2+,Ce3+；发光特性；能量传递；双色荧光粉

0 引言

近年来，白光LED灯由于其具有能耗低、使用寿命长、环境友好、耐震动等优点而得到广泛的关注，被誉为第四代照明光源[1-3]。目前，商业上实现白光LED的主流方式是利用蓝光LED芯片激发YAG:Ce3+荧光粉，使其发射550～580 nm的黄光，该黄光和剩余的蓝光混合成白光。但由于YAG:Ce3+的发光中缺少红光部分，因此获得的两色白光显色指数较低，色温较高[4-5]。另一方面，当前InGaN芯片的发射波长已经蓝移到紫外光方面，当前InGaN芯片的发射波长已经蓝移到紫外光区，为能够被紫外光激发的荧光粉应用到白光LED提供了可能。然而，目前应用于约400 nm紫外光芯片的三基色荧光粉主要还是传统的荧光粉如：BaMgAl10O17:Eu2+蓝粉[6]，SrGa2S4:Eu2+绿粉[7]， YVO4:Eu3+红粉[8]等。……