韩 鹏，夏祎鸣，台运娇，许业军

(池州学院 机电工程学院，安徽 池州247000）

1 引言

半导体工业的发展使得人们需要特征尺寸越来越小的集成电路块，集成密度将直接制约器件的运行性能，因而就需要通过提高印刷术获得更大的分辨率，进而达到增加运算速率、降低功耗的效用。光刻技术就是适应这一生产需要被广泛运用的印刷术之一[1-2]。在过去的几十年里，集成电路的特征尺寸以平均每年约10%的速度减小[3]，然而，随着器件微型化程度越来越高，传统的经典光刻技术遭遇瑞利衍射极限难以突破的障碍，极大地制约了当前半导体制造技术的发展，使得光刻技术面临新的挑战。

近年来，开发光的量子特性打破经典衍射极限的量子干涉光刻技术已成为热门的研究领域[4-12]。量子光刻法最早有Boto等人（2000）首次提出，其研究表明：利用“N光子最大纠缠态”可以将光刻分辨率提高到经典情形的N倍[13]。例如：Agarwal研究小组（2001）在传统光刻装置中利用高增益参量放大器取代参量下转换器，所产生的关联双光束能有效地提高光子吸收率，但是以牺牲条纹可见度下降至接近20%作为代价[14]，这一过程后来被Sciarrino等（2008）在实验中所证实[15]；Gerry(2003)利用“弱对相干态”进行量子光刻，通过量子干涉调控有效地消除了背景项，并获得了约6倍于双光子NOON态所产生的曝光率[16]；湖南师范大学匡乐满研究组（2003）研究了N光子非最大纠缠态的量子光刻法[17]，提出了入射量子态的局域纠缠度和非局域纠缠度的概念；……