用VLT技术改变DRAM产业格局

半导体嵌入式非易失性存储器（eNVM）知识产权（IP）产品提供商Kilopass Technology， Inc.近日宣布，推出其革命性的垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor， VLT）技术，进而颠覆全球DRAM市场。VLT存储单元在2015年已通过验证，目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。Kilopass一直致力于推广这项技术，并正与DRAM制造商进行许可协商。VLT是一种什么技术？它为何可以颠覆全球DRAM市场？Kilopass首席执行官Charlie Cheng进行了很好的诠释。

Charlie Cheng

VLT的前世今生

“Kilopass以一次性可编程（OTP）存储器技术的领导者而闻名，我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新。”Kilopass首席执行官Charlie Cheng说，“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术，运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品，这些产品在功耗和成本上将具有显著优势，同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

垂直分层晶闸管（VLT）是基于晶闸管（thyristor）技术的一种存储结构。Charlie Cheng说，该结构在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管，从而形成了锁存，由于锁存的形成，这种结构非常适合数据存储，与当前基于电容的DRAM技术相比，晶闸管内存不需要刷新。Kilopass的VLT技术通过垂直方式实现了晶闸管存储单元结构，从而满足了DRAM的各项要求，它消除了对DRAM刷新的需求，且与现有的工艺技术兼容，还提供更多的优点，包括更低的功耗、更佳的面积效率和兼容性。

晶闸管是一种结构复杂的电子器件，在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。Charlie Cheng进一步解释道，由于锁存的形成，这种结构非常适合存储器，与当前基于电容的DRAM相比，晶闸管内存不需要刷新。……