何　龙，姚　光, 潘泰松, 高　敏，林　媛,2

(1.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) (2.东莞电子科技大学电子信息工程研究院，广东 东莞 523808)



3ω法测量钛酸钡薄膜的热导率

何龙1，姚光1, 潘泰松1, 高敏1，林媛1,2

(1.电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 610054) (2.东莞电子科技大学电子信息工程研究院，广东 东莞 523808)

林　媛

电子设备小型化带来的热效应问题，使得提高薄膜材料热导率和降低薄膜与基底的界面热阻成为提高薄膜器件可靠性的关键因素，因此测量薄膜器件热性能成为了电子工业中愈发重要的课题。钙钛矿结构的钛酸钡作为一种高介电常数材料，在电子工业中被广泛使用。通过建立一套3ω法测试系统，测试了使用高分子辅助沉积法在SiO2薄膜上沉积的钛酸钡薄膜样品的热导率，并通过不同厚度薄膜热阻与热导率的关系，计算出钛酸钡薄膜的热导率为5.63 W/mK，钛酸钡与SiO2的界面热阻为2.13×10-8m2W/K。

3ω法；钛酸钡；热导率；界面热阻

1　前　言

钛酸钡(Barium Titanate)是一种钙钛矿结构的无机化合物，熔点为1618 ℃，拥有高介电常数和低介电损耗的优良特性，是一种在电子陶瓷工业中被广泛使用的材料。其晶体结构在不同温度下表现出不同的形式。钛酸钡晶体的相变是由于钛离子相对氧阴离子在晶格中位置的变化造成的，在1460 ℃以上结晶出的钛酸钡属于非铁电性的六方晶系6/mmm点群。在1460～130 ℃之间钛酸钡转化为立方钙钛矿结构，此时Ti4+位于O2-构成的氧八面体中央，Ba2+离子则处于8个氧八面体围成的空隙中。……