王 维，陈 争，李 鑫，曾以成



含两个荷控忆阻器的五阶混沌电路研究

王 维1，陈 争2，李 鑫1，曾以成1

（1. 湘潭大学 微电子科学与工程系，湖南 湘潭 411105；2. 75714部队，湖南 衡阳 421900）

忆阻器作为一种具有记忆功能的新型非线性元件，被广泛应用于非线性电路系统设计中。利用两个基于荷控光滑模型的忆阻器以及采用常见的线性电子元件电感、电容、负电阻等设计了一种新的五阶混沌振荡电路。采用常规的系统动力学分析方法，分析了系统平衡点稳定性、相图、李雅普诺夫指数谱和分叉图，研究了系统随电路参数和荷控忆阻器初始状态变量变化的非线性动力学特性。Matlab数值仿真结果验证了理论分析的正确性。

混沌电路；相图；动力学；荷控忆阻器；非线性系统；数值仿真

忆阻器是继电容、电感和电阻之后的第四种基本无源双端口电路元件[1-2]，作为一种具有记忆功能的非线性元件[3-5]，其构成的电路具有易产生混沌振荡信号的优点[6]，因此含忆阻的混沌电路研究广受关注[7-10]。目前，对忆阻器的研究主要集中在含一个忆阻器的混沌电路[11-12]，对含有两个或多个忆阻器的混沌电路研究较少。由于含有两个或多个忆阻器构成的混沌电路具有更加复杂的拓扑结构并拥有更丰富的混沌动力学行为，因此在图像加密[13-15]和保密通信[16-17]等工程应用领域具有潜在的应用价值。针对多忆阻器混沌电路中的研究，包伯成等[18]于2011年首次提出了含两个三次光滑模型磁控忆阻的混沌电路设计，利用电容与磁控忆阻的并联，得到一个五阶混沌振荡电路；……