吕江萍，胡巧云

（中国兵器工业第214研究所，江苏苏州215163）

电路设计

一种曲率补偿的高精度带隙基准源设计

吕江萍，胡巧云

（中国兵器工业第214研究所，江苏苏州215163）

基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺，设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用折叠式共源共栅放大器反馈结构带隙基准源，利用晶体管的VBE与IC的温度特性产生T1nT补偿量，对传统的带隙基准进行曲率补偿。仿真结果表明，在5 V供电电压下，-40～125℃温度范围内，基准电压的波动范围为1.2715～1.2720 V，温漂为3.0×10-6/℃，低频时电路电源抑制比为-86 dB。

曲率补偿；带隙基准；折叠式共源共栅

1　引言

在高性能模拟、数字和电源管理系统中，如A/D、D/A转换器、滤波器、锁相环电路以及LDO等中，电路系统的正常工作离不开独立于温度和电源的稳定基准电压。对模拟电路系统而言，基准电压源的性能直接影响到整个系统的精度和性能，基准的任何偏差和噪声都会严重影响其他电路的线性度和精度［1］。带隙基准源能够提供低温度系数和高电源抑制比（PSRR），是目前各种基准源结构中运用最广泛的拓扑结构。由于一阶补偿的带隙基准源在-40～125℃温度范围内的温度系数为（30～80）×10-6/℃，为了得到性能更好的带隙基准源，必须进行高阶补偿。因此，为满足系统对高精度基准源的需求，开展曲率补偿的高精度带隙基准源研究十分必要。

带隙基准电路是基于将两个具有大小相等、方向相反温度系数的电压相加，而得到与温度无关的电压的原理［2］。其基本原理如图1所示，负温度系数电压由衬底三极管的基极-发射极电压VBE实现，其温度系数为-2 mV/℃。……