实现流水存储及坏块处理的Flash控制器设计
2016-09-09闫梦婷安军社江源源
电子设计工程 2016年16期
闫梦婷,安军社,江源源
(1.中国科学院空间科学与应用研究中心 北京100190;2.中国科学院大学 北京100190)
实现流水存储及坏块处理的Flash控制器设计
闫梦婷1,2,安军社1,江源源1
(1.中国科学院空间科学与应用研究中心 北京100190;2.中国科学院大学 北京100190)
实现了一种适用于航天设备的大容量存储方案。给出一个基于FPGA实现的Flash控制器设计,该控制器可以完成航天应用的大容量数据存取工作。其中存储操作中设计了流水编程机制,实现了叠装芯片内部的流水编程操作,大幅度提高系统的整体存储速率,实现了高速存储的目的。同时,提出了一种完备的坏块处理机制,可以屏蔽对已知坏块的使用,并且在新的坏块产生时确保存取操作正常执行,使得大容量存储系统的存储数据无误差、无丢失,读出正常有序的数据。经板级验证,该方案的整体可以实现的最高存储速率可达100 Mbps,坏块处理机制可保证数据的正确性、完整性和连续性。
大容量;固态存储;NAND Flash控制器;坏块处理;流水存储;FPGA应用
随着航天领域对固态存储器(Solid State Recorder)研制工作的不断发展,NAND Flash以其高密度、大容量、高数据存储速率以及更多的擦除次数等特点得到了大量的使用,逐步开始成为存储介质的主流选择。但是,NAND Flash由于其制造工艺和航天器的特殊使用环境等因素,会在存在坏块,并在使用过程中产生新的坏块,对坏块的处理是NAND Flash实际应用中必须要解决的问题。大量的Flash使用实例中已经出现了常见的坏块处理方法,主要是在使用前建立坏块信息表,根据坏块信息表来检索出可以使用的有效块,避免对坏块进行误操作。……
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