雷宇（华东交通大学理学院，江西南昌330013）

新型二次磁控忆阻器在colpitts混沌电路的应用

雷宇
（华东交通大学理学院，江西南昌330013）

本文在二次磁控忆阻器两端并联了一个可调电容，建立一个新型的忆阻器，分析了改进忆阻器的伏安特性，并在multisim仿真平台上观察该忆阻器端口电流随端口电压的变化.再将改进型忆阻器并接到colpitts电路的C6的两端，利用multisim中示波器观察电容器电容和乘法器乘法因子对混沌信号的影响.

忆阻器；colpitts电路；multisim

HP实验室在2008年5月实现了一种具有“记忆”特性的纳米级电阻，证实了1971年chua提出的关于忆阻器的预测和理论.由于忆阻器在信息存储，神经网络，混沌电路有极大的应用前景，它引起科学界的高度关注［1-4］.2008年，Itoh和Chua首次提出磁控分段忆阻器［5］.Muthuswamy于2010年设计出光滑磁控忆阻器并应用于蔡氏混沌电路［6］.包伯成等对磁控忆阻器进行深入研究，实现了一系列新的忆阻器，并引入蔡氏电路，得到更为丰富的混沌信号［7］.李志军等对磁控忆阻器进行改进，设计出浮地忆阻器，使忆阻器与其它电路连接更为灵活［8］.1994年，Kennedy在电容三点式正弦波振荡电路的基础上，提出了三阶colpitts混沌电路［9］.此后，Mggio，Feo，Kennedy等对此电路进行研究，给出了更一般的理论分析和实验依据［10］.刘思禹在三阶colpitts电路的基础上，通过并联一个电容得到四阶混沌电路，可获得更为复杂的分岔及混沌现象［11］.包伯成将分段线性函数引入colpitts混沌电路得到新三维和新四维多涡卷混沌信号［12］.刘晓宙研究小组利用……