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一种PTAT的MOS温度传感电路的设计与实现

2016-09-08殷万君武建寿祝建科

电子设计工程 2016年9期
关键词:设计

殷万君,武建寿,郑 君,祝建科

(1.四川信息职业技术学院 四川广元 628017;2.张掖市华光太阳能有限公司 甘肃 张掖 734000)

一种PTAT的MOS温度传感电路的设计与实现

殷万君1,武建寿2,郑 君2,祝建科1

(1.四川信息职业技术学院 四川广元628017;2.张掖市华光太阳能有限公司 甘肃 张掖734000)

温度传感器的研究趋势是提高测温精度和分辨率、增加测试功能、规范接口标准、提高可靠性和安全性。国际上新型温度传感器正从模拟式向数字式、从集成化向智能化和高精度、低功耗、高集成度的方向发展。为了提高温度传感器的线性度,设计采用了PTAT电路,实现了温度-电压转换效率高、线性度好、测温准确、功耗低的要求。

PTAT;温度;电压;线性度

温度传感器有双金属开关、热电偶、铂电阻等,这些温度传感器应用在不同场合,在控制电路中有着各自不可替代的优点[1]。半导体温度传感器与这些温度传感器相比,有体积较小、功耗较低、灵敏度高、集成度高、抗干扰能力强[2]、自热温度系数小等诸多优点。更重要的是其线性度较好,通过变送后,无论是以电压、电流、频率或其他信号形式输出,在相当宽的温度范围内(-55~150℃)这些输出量都与实时温度成线性关系,非常适合在集成电路系统中应用[4]。如今集成温度传感器已经应用于各种场合,在设计中 ,最普遍的实现方案就是通过两个双极性三极管的ΔVbe来构建与绝对温度成正比(proportional to absolute temperature,PTAT)的电压或电流[4]。

1 PTAT单元电路

PTAT电路单元如图1所示。

图1 PTAT单元电路

三极管Q1和Q2采用图1所示的接法,且Q1和Q2参数相同,即Q1和Q2管的反向饱和漏电流Is1和Is2相等,采用一定的偏置电路使得Q1三极管集电极电流为Q2三极管集电极电流的n倍。……

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