吴兆希，李晓红，邓永芳，蔡建荣，杨少华

（1.中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆　400060；2.工业和信息化部电子第五研究所，广东　广州　510610）



恒定温度应力下的模拟IC加速退化试验研究

吴兆希1，李晓红1，邓永芳1，蔡建荣1，杨少华2

（1.中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆400060；2.工业和信息化部电子第五研究所，广东广州510610）

研究了在不同恒定温度应力条件下某型号驱动器的模拟集成电路的加速退化试验。首先，确定了该型驱动器的敏感参数，并建立了敏感参数的退化模型；然后，计算得到了器件在加速应力下的伪寿命；最后，利用阿伦尼斯模型对伪寿命数据进行分析，外推得到了器件的激活能及其在正常工作应力条件下的寿命信息。

加速退化试验；阿伦尼斯模型；激活能；驱动器

0　引言

随着现代电子系统综合性和复杂性的不断提高，系统的可靠性变得越来越重要了。半导体器件作为现代电子装备的最重要的组成部分，其可靠性在很大程度上决定了整个电子装备的可靠性。而半导体器件的可靠性根据其所处应力条件的不同可以分为两类：贮存可靠性和工作可靠性。由于高可靠、长寿命的产品在正常的试验条件下，能够获得的产品失效数据甚少，导致采用传统的基于失效数据的可靠性分析变得相当困难。基于此，基于性能退化的可靠性分析便成为了一种评估高可靠产品的可靠性和寿命的有效方法［1］。为了能够在较短的时间里观察到产品的性能退化趋势，需采用产品性能加速退化试验来加速产品的退化。……