夏继业　董国栋　田博元　严秋平　韩　杰　邱　松李清文　梁学磊,*　　彭练矛(北京大学信息科学技术学院，纳米器件与物理化学教育部重点实验室，北京0087；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏苏州53)

碳纳米管薄膜晶体管中的接触电阻效应

夏继业1董国栋1田博元1严秋平1韩杰2邱松2李清文2梁学磊1,*彭练矛1
(1北京大学信息科学技术学院，纳米器件与物理化学教育部重点实验室，北京100871；2中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏苏州215123)

利用不同功函数的金属作为接触电极，研究了网络状碳纳米管薄膜晶体管(CNT-TFT)的接触电阻效应。研究表明金属Pd与碳纳米管薄膜形成良好的欧姆接触，Au则形成近欧姆接触，这两种接触的器件的开态电流和迁移率较高。Ti和Al都与碳纳米管薄膜形成肖特基接触，且Al接触比Ti接触的势垒更高，接触电阻也更大，相应器件的开态电流和迁移率都较低。该结果表明对于CNT-TFT仍然可以通过接触来调控器件的性能，这对CNT-TFT的实用化进程具有重要的促进作用。

碳纳米管；薄膜晶体管；接触电阻；欧姆接触；肖特基势垒

[Article]

www.whxb.pku.edu.cn

现有的CNT-TFT研究集中在如何提高薄膜的密度和均匀度1,4,23，如何调控沟道中载流子的极性24，以及如何提高载流子迁移率等性能方面1,4,18，而对碳纳米管薄膜与金属电极接触的研究很少。虽然金属与碳纳米管的接触在基于单根碳纳米管的器件中已经有过比较深入的研究25－27，但是溶液法制备的碳纳米管薄膜与单根碳纳米管有较大区别。……