工艺气体比例对微波MOCVD沉积氧化铝膜性能影响
2016-09-02巴德纯赵崇凌杜广煜
功能材料 2016年5期
关键词:生长
张 健,巴德纯,赵崇凌,杜广煜,刘 坤
(东北大学 机械及自动化学院,沈阳 110004)
工艺气体比例对微波MOCVD沉积氧化铝膜性能影响
张健,巴德纯,赵崇凌,杜广煜,刘坤
(东北大学 机械及自动化学院,沈阳 110004)
AlO薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用自主研发的线性微波等离子增强化学气相沉积系统(LMW-MOCVD)在单晶硅基体上用不同N2O和TMA特气比例制备氧化铝膜层样品,并通过SEM、SE800椭偏仪对薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉积速度、折射率测试分析。实验结果表明,随着N2O比例增大,薄膜中O/Al原子比例有上升趋势;膜层沉积速度显著降低;膜层折射率开始趋于稳定而后迅速降低。所以,工艺气体比例对LMW-MOCVD沉积氧化铝膜的性能有明显影响。
线性微波源;氧化铝薄膜;工艺气体比例;折射率;沉积速度
0 引 言
AlO薄膜具有可以钝化硅片表面,弥补硅片表面悬挂键,起到增加少子寿命的作用,最重要的是氧化铝膜层内部有负阴离子团,该阴离子位于AlO和硅交界处,可以在P型硅表面形成阴性场效应,增强PN结的内建电场,增大开路电压和短路电流,最终实现提高晶硅电池效率。因此,近年来AlO薄膜的制备也引起了很多国内外专家的关注,如应用溶胶凝胶技术制备出硬质氧化铝膜,高介质性能氧化铝膜[1-5],同样近年来的ALD技术也实现了氧化铝膜层的制备,且薄膜的致密性能、介电性能、钝化性能都有显著的提高[6-11]。但溶胶凝胶制备出的薄膜不适用于晶硅电池行业要求,同时ALD法制备薄膜的沉积速度过慢,无法实现真正的大范围普及。……
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