谢少军，吴新科

（南京航空航天大学，浙江大学）

宽禁带功率电子器件及其应用专辑特邀主编述评

谢少军，吴新科

（南京航空航天大学，浙江大学）

相较于传统的硅器件，基于宽禁带半导体材料的功率电子器件在很多方面都体现出了优越的性能，符合功率变换器高效率、高工作温度及高功率密度的发展需求。近几年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件的制造技术发展迅速，多家公司推出了系列商业化产品，宽禁带功率电子器件及其应用已成为当前电力电子学科研究热点之一。

为集中展现宽禁带半导体器件及其应用方面的最新研究成果和进展，《电源学报》特别推出“宽禁带功率电子器件及其应用”专辑。本专辑征文得到了国内各高校和企业同行的积极响应和大力支持，共收到稿件22篇，经过认真细致的评审，录用18篇。其中关于器件发展及新型器件相关论文2篇，器件建模及器件应用特性分析相关论文4篇，器件在特定电路中的应用相关论文7篇，应用宽禁带器件的高密度功率变换器集成封装相关论文2篇，应用综述相关论文3篇。

宽禁带半导体材料及器件的发展是宽禁带功率电子器件应用的基础。中山大学刘扬教授等的“第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战”归纳了GaN器件的技术路线、产业化发展现状，分析了GaN器件的关键技术和挑战，介绍了该器件的国内发展现状，指出凹槽绝缘栅结构的常关型GaN MOSFET器件是基于CMOS工艺的Si衬底上GaN功率开关器件的产业化发展方向。……