董泽政，吴新科，盛　况，张军明

（浙江大学电气工程学院，杭州310027）

共源极电感对SiC MOSFET开关损耗影响的研究

董泽政，吴新科，盛况，张军明

（浙江大学电气工程学院，杭州310027）

共源极电感同时存在于功率MOSFET的功率回路和门极驱动回路中，影响器件的开关特性和开关损耗。共源极电感的影响将随着器件开关速度和开关频率的提高而显得更为严重。碳化硅（SiC）MOSFET相对于硅器件的材料优势使其可以实现更快速的开关过程，共源极电感的影响更加需要考虑。首先分析了现有功率开关损耗测量方法的优劣，然后选用一种通过测量结温升和热阻的方法来测量SiC MOSFET的开关损耗，最后搭建了一台输出功率1 kW、输出电压800 V的全碳化硅Boost样机，从100 kHz到500 kHz进行实验验证。实验结果表明，当不含共源极电感时SiC MOSFET的开通损耗、关断损耗均有所减小。

共源极电感；开关损耗；碳化硅（SiC）MOSFET

引言

近年来，随着宽禁带器件的不断发展，碳化硅基MOSFET在电机驱动、光伏逆变器等场合得到了广泛研究［1-2］。碳化硅器件相比传统的硅基器件，具有较小的结电容和很高的开关速度，导致回路中极高的开关速度di/dt及dv/dt。因此，回路寄生参数对于器件的应力、损耗和EMI干扰的影响需要认真对待。寄生参数中的共源极电感会使器件开关速度减慢，从而对器件的开关损耗产生影响。

回路寄生参数对于器件开关特性的影响主要包括器件的开关速度（di/dt、dv/dt）、器件的开关时间，电压电流应力以及开关损耗。文献［3］中分析了主功率回路电感LDS、门极回路电感LGS以及共源极电感LSS对于CoolMOS开关特性的影响，认为LDS主要影响开关时的振荡和器件总的电压电流应力，而LSS主要影响开关损耗；……