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基于GaN器件LLC谐振变换器的平面变压器优化设计

2016-08-12谭琳琳王康平宇文甸

电源学报 2016年4期
关键词:变压器

谭琳琳,王康平,宇文甸,杨 旭

(西安交通大学电气工程学院,西安710049)

基于GaN器件LLC谐振变换器的平面变压器优化设计

谭琳琳,王康平,宇文甸,杨旭

(西安交通大学电气工程学院,西安710049)

现代开关电源的发展呈现高效率和高功率密度的趋势。基于GaN器件LLC谐振变换器,采用同步整流技术,通过平面变压器的设计和结构优化大大减小了变换器的高度和体积,同时也减少损耗,提高了系统的功率密度和效率。搭建了1 MHz/120 W同步整流LLC谐振变换器硬件电路,对设计进行了实验验证。样机的功率密度达到了262 W/in3,最高效率达到了94.9%。

LLC谐振变换器;GaN器件;同步整流;平面变压器

引言

LLC谐振变换器由于其高效率、高功率密度和软开关特性,成为备受关注的DC/DC拓扑[1]。由于GaN器件具有高开关频率、低导通损耗、无反向恢复等优势,基于增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计同步整流LLC谐振变换器,大大提高了电源模块的综合性能[2]。目前国内还鲜见基于eGaN器件的高频模块电源设计,本文对采用eGaN器件的高频直流电源模块进行了研究。

功率变压器是高频DC/DC设计的关键和难点。传统变压器体积大、损耗高,尤其在高频情况下,很大程度上限制了开关电源的功率密度和效率。平面变压器因其体积小、功耗低、散热好、模块化等特性在高频功率变换器领域被广泛应用[4]。在1 MHz,120 W,48 V/12 V高功率密度直流电源模块设计中采用了平面变压器结构,使用平面磁芯和PCB绕组,减小了变压器的体积和高频下功率损耗,使变换器整体效率和功率密度有了显著提高。……

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