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SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究

2016-08-12葛小伟谢少军

电源学报 2016年4期

葛小伟,张 瞾,曹 鸿,谢少军

(南京航空航天大学自动化学院,南京211106)

SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究

葛小伟,张瞾,曹鸿,谢少军

(南京航空航天大学自动化学院,南京211106)

航空静止变流器实现机载直流电到交流电的转换,对功率密度、效率、环境适应性、可靠性和电气性能等有较高的要求。碳化硅(SiC)半导体器件的开关速度快、高温特性好,在航空静止变流器中有很好的应用前景,但目前关于宽禁带器件在航空静止变流器中应用的研究比较少。首先结合现有的典型航空静止变流器电路拓扑分析了SiC MOSFET应用的关键问题;然后针对航空静止变流器逆变级的两级级联半桥逆变器,对比分析了应用SiC MOSFET与Si MOSFET的损耗大小,分析结果表明在现采用的开关频率下,即使现有SiC MOSFET导通损耗较大,但总损耗仍较小;且开关频率越高,SiC MOSFET的效率优势越明显,最后为适应高开关频率SiC MOSFET逆变器的需要设计了一种适应高开关频率和宽占空比变化信号的SiC MOSFET驱动电路,搭建了1台500 VA、115 V/400 Hz两级级联半桥逆变器实验样机,并验证了应用SiC MOSFET的航空静止变流器逆变级的可行性。

航空静止变流器;SiC MOSFET;级联逆变器;损耗分析;驱动电路

引言

航空静止变流器ASI(aeronautical static inverter)作为航空二次电源,其主要功能是将飞机上的发电机或蓄电池的28 V直流电转变为单相或三相的400 Hz交流电,供飞机的用电设备使用。目前,由于航空静止变流器输入电压范围宽,且要求电气隔离,一般采用两级式的结构,即由前级DC/DC直流变换器与后级DC/AC逆变器构成。……

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