南京邮电大学电子科学与工程学院 万江源 郑 洁 曾 进



含忆阻模拟器的文氏振荡电路研究

南京邮电大学电子科学与工程学院 万江源 郑 洁 曾 进

【摘要】忆阻器作为一种非易失性存储器和第四种电路基本无源元件，从它被提出时起就受到人们广泛关注。由于研制成本高和制造难度大，人们提出了一些动力学行为与忆阻器相似的忆阻模型。本文对忆阻模型的部分特性进行研究，采用简化的忆阻模拟器电路模型，进行分析，探究其伏安特性，并着重探究了含忆阻模拟器的文氏桥振荡电路频谱在不同条件下变化的基本特性，探索含忆阻的传统振荡电路特性改变及其在电子学当中的应用前景。

【关键词】忆阻模拟器；文氏桥；洄滞；频谱

1　引言

从电路理论出发，我们知道无源电路有三个基本元件：电阻、电容和电感，分别描述电压与电流的关系、电压与电荷的关系、电流与磁通量的关系，是目前实现电路的基本组成元件。同时，电路中有四个基本的参量：电流i、电压u、电荷q和磁通量，这四个基本参量两两之间具有六种关联：q和i通过电流电荷的基本定义联系起来（dq=idt），和u通过法拉第电磁感应定律联系起来（d=udt），u和i通过电阻的公理化定义联系起来（du=Rdi），u和q通过电容的定义联系起来（dq=Cdu），和i通过电感的定义联系起来（d和q之间没有通过相关物理定律或是物理模型联系起来［1］。

基于此，1971年美国加州大学伯克利分校的华裔科学家蔡少棠从电路基本变量的组合完备性出发，预言了忆阻器的存在［2］，并随后对忆阻系统相关特性进行了研究［3］。……