杜月娇

见到杨玉超时，这位第十一批“千人计划”青年人才入选者来北京大学微纳电子学研究院任职还不到3个月。这位北大“新人”很忙，每天几乎都要工作十四五个小时，就连周末也不例外。乍被问到业余爱好，他有些茫然，为了让回国后的研究工作尽快步入正轨，似乎还没能来得及有“业余”。“有了的话，我再告诉你。”最终，他给了这样一个可爱的答案。

跟着兴趣走

“走上微纳电子之路没有什么特别的原因，就是在研究过程中兴趣的自然转移。”从本科到研究生，杨玉超原本的选择一直是材料学。用他的话说，虽然材料是器件的组成部分，但他开始的研究是比较偏基础的。转折点出现在他博士二年级那一年。

当时，杨玉超还在钻研氧化锌薄膜的结构性能调控，期间，完成了一个“非常粗糙、非常简单”的器件模型。结果在测量器件时得到了一些“奇怪”的现象，他不知道该怎么解释这些现象。“我想调研一下，然后发现那时国际上开始关注一种叫做阻变存储器（RRAM）的器件。”

2008年前后，阻变存储器还是个“小鲜肉”，即使到现在，它也是一个非常有“前途”的器件。“大家都知道，过去的50年里，计算机行业的发展速度沿循摩尔定律，非常快，但是近些年来，由于器件到小尺度后出现的各种物理和工艺上的限制，计算机行业发展遭遇了瓶颈，人们开始担心摩尔定律无法继续下去。其中一个重要的限制就是存储器。”杨玉超解释道，阻变存储器，又称忆阻器，是延续摩尔定律生命力的“法宝”。……