李穆朗

(中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220)

提高10.16,cm砷化镓晶片单面精抛表面质量的工艺研究

李穆朗

(中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津300220)

在半导体制造工艺中，要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面，需要对半导体晶片进行表面精抛。国际上主要采用化学机械混合同时抛光，获得的晶片表面平整、光洁度好、机械损伤小。目前砷化镓材料的抛光液配方较多，但工艺条件比较严格，抛光结果并不理想。从抛光转速、抛光压力、抛光液 3方面进行试验设计与研究，并对结果进行讨论，最终得到了一种稳定、重复性好的10.16,cm砷化镓单面精抛工艺。

砷化镓 表面 化学机械抛光 异质层 活性抛光液 磨粒 接触力

0 引 言

在半导体制造工艺中，要获得一个平滑、光亮、无损伤层的表面，需要对半导体晶片进行表面精抛。国际上主要采用化学机械混合同时抛光，得到的晶片表面平整、光洁度好、机械损伤小。这是一种表面光整工艺过程，是化学腐蚀和自由磨粒抛光作用的混合，是化学腐蚀和机械摩擦作用的结合。[1]图 1是砷化镓抛光片化学机械抛光工艺示意图。据报道，目前砷化镓材料的抛光液配方较多，但工艺条件比较严格，而抛光结果并不理想。

针对以上问题，笔者从 2013年开始了 10.16,cm砷化镓晶片单面精抛的研究，以获得一种满意的精抛新工艺。经过两年的试用，证明精抛工艺稳定、重复性好、工艺条件宽松，可获得无损伤表面。

图1 化学机械抛……