刘雨涛， 梁　庭， 王涛龙， 王心心， 张　瑞， 熊继军

(1.中北大学 仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西 太原 030051；2.中北大学 电子测试技术国防科技重点实验室,山西 太原 030051)



碳化硅薄膜的ICP浅刻蚀工艺研究*

刘雨涛1,2， 梁庭1,2， 王涛龙1,2， 王心心1,2， 张瑞1,2， 熊继军1,2

(1.中北大学 仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西 太原 030051；2.中北大学 电子测试技术国防科技重点实验室,山西 太原 030051)

摘要:选用SF6/O2混合气体对等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的碳化硅(SiC)薄膜进行了浅槽刻蚀，并通过正交试验设计方法，研究了感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术中反应室压强、偏压射频(BRF)功率、O2比例三个工艺参数对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响及其显著性。实验结果表明：BRF功率对于刻蚀速率的影响具有高度显著性，各因素对刻蚀速率的影响程度依次为BRF功率>反应室压强>O2比例，并讨论了所选因素对碳化硅薄膜刻蚀速率的影响机理。

关键词:碳化硅薄膜； 感应耦合等离子体刻蚀； 正交试验； 刻蚀速率

0引言

采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法制备的碳化硅(SiC)薄膜具有良好的高温稳定性、抗氧化性及耐热冲击性等优异性能，可以用作为高温器件的理想增强体。其高的电介质常数和耐腐蚀性使其可以作为集成电路中电介质隔离层和最后的钝化保护层[1]。而在碳化硅薄膜图形化方法中，感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术至关重要。尽管有文献报道研究过碳化硅的湿法腐蚀技术，但到目前为止，干法刻蚀仍然是碳化硅图形化的最有效的方法。IC……