基于气体分析的工艺诊断技术
2016-06-06闫海莲
电子工业专用设备 2016年5期
闫海莲
（中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙410111）
基于气体分析的工艺诊断技术
闫海莲
（中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙410111）
摘要：半导体制程中的扩散炉、氧化炉、真空炉、真空镀膜等设备，因其工艺过程复杂、工艺影响因素多而带来诸多的不确定性。本文阐述的是一种基于气体分析的工艺诊断技术，该技术通过分析反应腔内气体对工艺进行实时监控，以达到工艺过程分析、减少工艺诊断时间，并最终达到提高工艺质量和减少设备停机时间的目的。
关键词：半导体制程；气体分析；工艺诊断技术
在半导体芯片和器件的制程中，随着半导体器件关键尺寸的不断减小、集成度的不断提高、晶圆直径的不断增大，半导体制造过程变得越来越复杂，对半导体制造装备的工艺质量、工艺可靠性要求也越来越高。
半导体制程中的扩散炉、氧化炉、真空炉、真空镀膜等设备，不仅受设备硬件性能的影响，同时受气源质量、净化环境、材料材质等的影响，这对工艺人员快速找到并解决问题提出了严峻的挑战。
基于气体分析的工艺诊断技术，能够针对以上情况为工艺人员提供一种快速工艺诊断工具，利用该工具工艺人员能够快速找到问题以便迅速使设备和工艺恢复正常，从而达到提高工艺质量、晶圆成品率、增加设备正常工作时间的目的，这在半导体制造业日趋激烈的市场竞争环境下具有重要意义。
