许鸿源， 张剑华， 李福山

(福州大学 物理与信息工程学院， 福建 福州 350002)



CdTe∶Eu量子点的合成及其光学性能研究

许鸿源， 张剑华， 李福山*

(福州大学 物理与信息工程学院， 福建 福州 350002)

采用1-十八烯作为高温反应溶剂，利用氯化铕和磷酸三丁酯制备铕前驱体。分别采用正三辛基膦和碲粉制备的碲前驱体，以及油胺和二水乙酸镉制备的镉前驱体，在200 ℃合成Eu掺杂CdTe量子点。实验发现随着反应溶液中Eu的含量上升，CdTe量子点的荧光峰发生显著红移，但Eu的含量过高则会导致量子点的荧光强度下降。

CdTe量子点； 铕； 掺杂； 光学性能

1 引 言

Ⅱ-Ⅵ族量子点是一种无机发光纳米材料，由于尺寸在纳米量级而产生更加优越于一般块体材料的光电性能，在生物标记[1-2]、存储器件[3-4]、太阳能电池[5-6]、平板显示器件[7-8]等领域有广泛的应用。近几年来，在半导体量子点中引入过渡金属或稀土元素成为一种获得新的奇特量子点的途径。掺杂量子点的斯托克位移增大，导致热稳定性更强并且对光、热和光化学干扰更敏感．可能成为一类新的实用的发光材料[9]。例如，在ZnSe量子点中引入Eu离子从而使得量子点的荧光发射谱产生新的尖锐发光峰，就是因为Eu离子提供了新的能级轨道5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F3和5D0→7F4[10]。Yang[11]向ZnS纳米晶掺进Co2+发现纳米晶的荧光强度得到了有效的提高，这是由于Co2+加强了辐射复合过程，促进荧光发射强度提高。

CdTe是典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，通常用来制备具有红色发光波长的量子点。针对CdTe量子点进行掺杂的研究也十分常见，Chen等[12]利用微波炉水相合成Eu离子掺杂的CdTe量子点，合成了具有红色发光峰和绿色发光峰的量子点，最后使量子点发出黄光。……