雷发胜， 赵晓昕， 张广浩， 霍小林

(1. 中国科学院生物电磁学北京市重点实验室， 中国科学院电工研究所， 北京 100190；2. 中国科学院大学电子电气与通信工程学院， 北京 100049；3. 工业和信息化部电信研究院， 北京 100191)

重复经颅磁刺激器电容充电技术发展现状

雷发胜1,2， 赵晓昕3， 张广浩1， 霍小林1

(1. 中国科学院生物电磁学北京市重点实验室， 中国科学院电工研究所， 北京 100190；2. 中国科学院大学电子电气与通信工程学院， 北京 100049；3. 工业和信息化部电信研究院， 北京 100191)

经颅磁刺激(TMS)是一种非侵入式、无创无痛的神经检测和治疗技术。其中，重复经颅磁刺激(rTMS)具有调节病变区皮质兴奋性等复杂机制，在神经性疾病治疗研究方面具有巨大潜在价值，已经成为当今的研究热点。电容器充电技术是重复经颅磁刺激的核心技术，直接影响rTMS的性能，研制高效和可靠的电容充电电源成为rTMS技术发展的迫切需求。目前比较成熟的电容器充电技术中，高频开关变换器充电方式较其他方式具有明显的优势，随着电力电子器件的发展已成为当今的主流。本文首先详细介绍了两种高频变换器拓扑结构：PWM变换器和谐振变换器，随后从效率、充电速度、体积等几方面阐述了可用于rTMS系统的电容器充电电源技术的最新研究进展，最后指明了rTMS电源技术未来的发展方向。

重复经颅磁刺激； 电容器充电电源； PWM变换器； 谐振变换器

1 引言

经颅磁刺激(TMS)技术是一种利用时变脉冲磁场作用于中枢神经系统，使之产生感应电流，影响脑内代谢和神经电活动，从而引起一系列的生理化学反应的磁刺激技术[1，2]。……