美研究者成功将新型功能材料集成至硅芯片

据报道，美国北卡罗来纳州立大学日前发布公告表示，该校研究人员与美国陆军研究办公室合作开发出一种被称为“薄膜外延法”的新方法，可将多铁性材料等新型功能材料集成至计算机芯片上。据了解，将新型功能材料与硅芯片集成，有助于未来制造出更轻巧、智能的电子设备和系统，会使很多过去认为不可能的事成为可能：比如，数据探测、采集、处理等多种任务可以在一个紧凑的芯片上完成，此外目前发光二极管（LED）所用蓝宝石衬底无法与计算机设备兼容的难题也会迎刃而解。

目前而言，一些新型功能材料，如具有铁电和铁磁性质的多铁性材料、表面有导电性能的拓扑绝缘体及新型铁电材料等，在传感器、非易失性存储器及微机电领域有很好的应用前景。但这些材料目前面临的一个难题是，至今它们都不能被集成到硅芯片上。目前，新的研究帮助突破了限制。（中国电子材料行业协会）

日本成功实现铋单原子膜的超导化

日本东北大学2016年8月22日宣布，成功实现了铋的层状氧化物的超导化。此前铋层状氧化物被认为是不会显示出超导性的。在由单原子厚度的铋薄膜和绝缘体氧化物阻挡层组成的构造中，铋单原子膜变成了超导状态。将来，有望采用相同的方法实现其他层状化合物的超导化。

此次使用的材料是一种名为Y2O2Bi的铋的层状氧化物。这是东京工业大学2011年发表过研究成果的材料，具有与作为高温超导体而为人所知的铁类化合物BaFe2As2相同的晶体构造。……