吴岳芬湖南理工学院信息与通信工程学院



吸收电路在模拟电路设计中的技术研究

吴岳芬
湖南理工学院信息与通信工程学院

针对模拟电路实际设计中，电子器件容易损坏的问题，研究了几种不同的吸收电路，通过在器件两端并联电容、电阻以及二极管等措施来改善其电压和电流尖峰脉冲，最后通过PSPICE仿真软件验证了理论分析的正确性。

电子器件 吸收电路 尖峰脉冲 仿真

1　引言

在模拟电子技术中，电子器件如果工作在硬开关状态，由于电压和电流的开通和关断有一个过程，从而会导致下面两个不好的结果，第一：过大的电流对开关器件造成冲击，从而会造成电子器件的损坏；第二：电路产生尖峰电压或建峰电流，从而会影响电路正常工作。因此在实际电路设计中，应该极力避免这种情况，比如采用一些保护措施去克服此种情况，本文以二极管和MOS场效应管为例，通过采用不同的吸收电路对抑制电子器件两端的电压以及流过其的电流所产生的尖峰脉冲有显著抑制作用，论文最后最后通过PSPICE仿真软件对理论分析分析进行了验证论证。

2　二极管采用吸收电路的仿真研究

对于二极管的吸收电路具有两种形式：二极管并联电容器，二极管并联电容与电阻串联的组合。为了使续流环节具有良好的电磁兼容性，二极管采用快恢复二极管，以确保输出理想的直流信号。以下对二极管采用两种吸收方式的电路在PSPICE中进行仿真比较。……