傅启国

(南京西尔特电子有限公司,南京211111)

BENAND Flash的编程实现及优化

傅启国

(南京西尔特电子有限公司,南京211111)

介绍了BENAND Flash的基本结构和信号,详细讨论了其擦除及读写数据的时序,设计了一套对其编程的系统。针对其内嵌ECC等特点分析了BENAND Flash在工厂编程里的具体步骤,并在编程和校验环节进行优化,有力地提升了工厂编程行业内BENAND Flash的编程效率。

BENAND Flash;内嵌ECC;编程;校验

引 言

BENAND Flash是东芝公司新发明的一种NAND Flash,它基于SLC NAND闪存,内嵌ECC(Error Correction Code,纠错码),并且具有与通用的SLC NAND闪存兼容的封装和引脚定义,这一点保证其在现有产品中可以轻松地与SLC NAND实现替换。BENAND在减轻主机处理器处理ECC负担的同时,最大程度地避免了协议更改,并且允许主机处理器支持最先进工艺的NAND闪存,以上优点使得BENAND Flash逐渐被广泛使用。

1 BENAND Flash的基本结构

目前东芝推出的BENAND Flash,其容量主要有1 Gb、2 Gb、4 Gb和8 Gb四种,封装形式有TSOP48、FBGA63和FBGA67三种。以1 Gb容量的BENAND Flash为例,它由1024个区块组成,每个区块包含64个页,每一页都包含一个2 048字节的数据区和64字节的备用区,总共包含2 112字节,所以1 Gb容量的BENAND Flash实际共包含(2 048+64)×64×1024字节,其结构示意图如图1所示。

图1 1Gb容量BENAND Flash结构图

BENAND Flash以页为基本单元进行存储,以块为基本单元进行擦除,以页为基本单元进行写入和读出,具有很快的写入和擦除速度。除了电源、地和8个I/O口,主要由7个控制信号构成:

①芯片使能(CE#):如果没有检测到该信号, BENAND Flash就保持待机模式,不对任何控制信号作出响应。

②写使能(WE#):WE#负责将地址、命令或数据写入到BENAND Flash中。

③读使能(RE#):RE#允许数据输出。

④指令锁存使能(CLE):当CLE为高时,在WE#信号的上升沿,命令被锁存到BENAND Flash的指令寄存器中。……