赵　鹏，陈爱城,3，戴　勇，关怀民，童跃进,3

(1 福建师范大学化学与化工学院，福建　福州　350007；2 福建师范大学材料科学与工程学院，福建　福州　350007；3 福建师范大学化工新材料研究所，福建　福州　350007)



二氧化硅表面硅羟基含量的测定方法

赵鹏1，陈爱城1,3，戴勇1，关怀民2，童跃进1,3

(1 福建师范大学化学与化工学院，福建福州350007；2 福建师范大学材料科学与工程学院，福建福州350007；3 福建师范大学化工新材料研究所，福建福州350007)

二氧化硅表面存在有三种硅羟基，分别为孤立羟基、邻位羟基和偕羟基。二氧化硅表面硅羟基的含量与二氧化硅的吸附性能以及其表面性能有关，并直接影响着其应用如用作橡胶补强剂、药物传送和薄膜技术等。因此，定量测定二氧化硅表面硅羟基的含量具有十分重要的意义。本文介绍了近年来国内外二氧化硅表面硅羟基含量的测定方法，主要包括滴定法、同位素交换法等化学方法以及热重分析法、核磁分析法等物理方法。

二氧化硅；表面硅羟基；定量测定；化学方法；物理方法

二氧化硅是一种质轻、多孔、高分散、化学稳定性和热稳定性较好的矿物材料[1]，可广泛应用于医药、化工等领域中，如作为药物载体[2]、橡胶补强剂[3]、制作光导纤维[4]等。

从微观角度讲，二氧化硅可以看成是由互相连接的SiO4四面体组成的硅酸聚合而成的粒子。在其表面分布的硅羟基以三种形式存在，即孤立硅羟基(自由硅羟基)、邻位硅羟基(桥接硅羟基)和偕硅羟基[5]。在某些应用中弄清楚二氧化硅表面硅羟基的数目是十分有必要的，如二氧化硅改性情况的好坏可以通过分析改性前后其表面硅羟基数目的变化做出判断。……